文献

J-GLOBAL ID：201902235687504885   整理番号：19A0034902

炭化ケイ素MOSFETパワーデバイスにおける過渡ゲート源過電圧の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Transient Gate-Source OverVoltages in Silicon Carbide MOSFET Power Devices

著者 (8件)： Pulvirenti Mario (Power Transistor Division, STMicroelectronics, Catania, Italy) ,  Montoro Gionatan (Power Transistor Division, STMicroelectronics, Catania, Italy) ,  Nania Massimo (Power Transistor Division, STMicroelectronics, Catania, Italy) ,  Scollo Rosario (Power Transistor Division, STMicroelectronics, Catania, Italy) ,  Scelba Giacomo (DIEEI, University of Catania, Catania, Italy) ,  Cacciato Mario (DIEEI, University of Catania, Catania, Italy) ,  Scarcella Giuseppe (DIEEI, University of Catania, Catania, Italy) ,  Salvo Luciano (DIEEI, University of Catania, Catania, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ECCE  ページ： 1895-1902  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は,炭化ケイ素(SiC)MOSFETパワーデバイスの整流中のゲートソース端子で生じる電圧スパイクの解析である。電圧スパイクは半ブリッジ構成で注目され,SiC MOSFETがオフ状態にあるときには,それらの相補的なPWMが突然変異するときに,それらを評価することができる。これらの過渡過電圧に及ぼすデバイス技術とそのパッケージングの影響を,内部デバイスとボード寄生を含めて適切にモデル化した。さらに,広い実験的試験キャンペーンを行い,異なるデバイスパッケージの長所と短所を明らかにした。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *MOSFET ,  整流 ,  *炭化ケイ素 ,  モデリング ,  *過電圧 ,  *電圧 ,  突然変異
準シソーラス用語： オフ状態 ,  *パワーデバイス ,  SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭化ケイ素MOSFET ,  パワーデバイス ,  ゲート ,  過電圧 ,  解析