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J-GLOBAL ID：201902236138234580   整理番号：19A0109276

水素-窒素イオンビーム入射による有機高分子エッチングにおける表面反応の数値シミュレーション研究

Numerical Simulation Study of Surface Reactions on the Organic Polymer Etching by Hydrogen-Nitrogen Ion Beam Injections

著者 (1件)： YAMASHIRO Masashi (Nihon Univ.)
資料名： 日本大学生産工学部研究報告 A 理工系  (Journal of the College of Industrial Technology, Nihon University)
巻： 51  号： 2  ページ： 1-14  発行年： 2018年12月20日 
JST資料番号： G0516A  ISSN： 0385-4442  CODEN： NDAREH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H₂/N₂またはH₂/NH₃イオンビーム入射による有機高分子エッチングにおける表面反応の古典的分子動力学(MD)シミュレーションを行った。シミュレーションで,生じた表面改質,スパッタリング収率,およびスパッタされた種を調べた。入射された窒素原子は有機高分子表面上に薄い窒化炭素(CN)層を形成し,その炭素と窒素の原子密度比はほぼ1であることが分った。高分子エッチングプロセスの間,このCN層は入射エネルギーイオンによりスパッタされ,脱着種は主に炭素-窒素クラスターであることが分った。またCN層は,揮発性の窒化水素ラジカルとなる入射低エネルギー水素による基板のさらなるエッチングを阻害することが分かった。これらのシミュレーション結果は,水素-窒素プラズマによる高分子エッチングにおいて,CN層はイオン衝撃による高分子エッチングを促進する一方で水素イオン衝撃による側壁エッチングに対する不動態化層としても作用するという実験観察と一致する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオンビーム ,  *表面反応 ,  *シミュレーション ,  表面改質 ,  スパッタリング ,  クラスタ ,  *エッチング ,  アンモニア ,  分子動力学 ,  高分子 ,  不動態化 ,  水素 ,  窒素 ,  窒化炭素 ,  入射エネルギー ,  分子動力学シミュレーション ,  改変
準シソーラス用語： イオン衝撃

分類 (3件)： 電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水素 ,  窒素イオン ,  ビーム入射 ,  高分子 ,  エッチング ,  表面反応 ,  数値シミュレーション ,  研究