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J-GLOBAL ID：201902236272741751   整理番号：19A2620412

バンドアンフォールディング法による窒素ドープβ-Ga₂O₃のバンド構造

著者 (1件)： 太田優一 (都産技研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21p-B31-9  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 次世代パワーデバイス材料として酸化ガリウム(Ga2O3)が期待されている。最近、イオン注入によるドーピングによって縦型デバイスの動作実証に成功するなど、著しい進展を見せている[1]。しかし、OがNに置換されることで深いアクセプタ準位を形成す...【本文一部表示】

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *窒素 ,  *ドーピング ,  *バンド構造 ,  デコンボリューション ,  計算 ,  不純物準位
準シソーラス用語： β-酸化ガリウム(III) ,  アンフォールディング ,  バンド計算 ,  アクセプタ準位

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バンド ,  アンフォールディング ,  窒素ドープ ,  β-Ga2O3 ,  バンド構造