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J-GLOBAL ID：201902236310803325   整理番号：19A2751754

Si埋め込みMoS_2単分子層上のN_2Oの触媒還元:単一原子触媒アプローチ【JST・京大機械翻訳】

Catalytic reduction of N₂O over Si-embedded MoS₂ monolayer: A single-atom catalyst approach

著者 (1件)： Esrafili Mehdi D. (Department of Chemistry, Faculty of Basic Sciences, University of Maragheh, P.O. Box 55136-553, Maragheh, Iran)
資料名： Inorganic Chemistry Communications  (Inorganic Chemistry Communications)
巻： 108  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1585A  ISSN： 1387-7003  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論計算に基づいて,Si埋め込みMoS_2(Si-MOS_2)の表面上のCO分子によるN_2Oの触媒還元を研究した。計算した吸着エネルギーは,Si原子との強い軌道相互作用のために,Si-MOS_2上にN_2OとCOが化学吸着されることを明らかにした。著者らの結果は,吸着したN_2Oが活性化エネルギーなしで容易にN_2とO*部分に分解できることを示した。COによるO*の除去のためのSi-MOS_2の触媒活性を研究し,対応するエネルギー障壁(0.32eV)が貴金属ベース触媒上のものより低いことを見出した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 貴金属 ,  *接触還元 ,  *単分子層 ,  吸着エネルギー ,  *触媒 ,  活性化エネルギー ,  触媒活性 ,  化学吸着
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  軌道相互作用 ,  密度汎関数計算 ,  *単一原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MOS_2 ,  N_2O還元 ,  単一原子触媒 ,  機構 ,  DFT

分類 (2件)： 第6族,第7族元素の錯体  (CE01080F) ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  埋め込み ,  単分子層 ,  触媒還元 ,  単一原子触媒