室温原子層堆積法によるSnO<sub>2</sub>膜作製とデバイス応用

齊藤俊介; 曽貝彗斗; 吉田一樹; 鹿又健作; 三浦正範; 有馬ボシールアハンマド; 廣瀬文彦

文献

J-GLOBAL ID：201902237133007888 整理番号：19A0598764

室温原子層堆積法によるSnO₂膜作製とデバイス応用

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資料名：
巻： 118 号： 461(CPM2018 101-120) ページ： 33-36 発行年： 2019年02月21日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

酸化スズ(SnO₂)は優れた可視光の透過性と導電性,また高い電子移動度を有しており太陽電池,薄膜トランジスタ,ガスセンサとして研究されている。本研究では,SnO₂薄膜の形成手法として,均一なナノ薄膜の形成が可能である原子層堆積法(ALD)を検討した。しかし,このALDは基板を加熱する必要があり,無加熱でのSnO₂薄膜形成の報告はほとんどない。無加熱のALDによる膜形成を実現すれば,熱に弱いフレキシブルな基材へのSnO₂を用いたデバイスが実現できる。このため無加熱でのALD-SnO₂膜形成を検討した。室温化手法として加熱の代わりにプラズマを用いることを検討し,他者報告と遜色のない膜質のSnO₂薄膜の形成を達成した。また,形成した膜を用いて完全室温プロセスでの薄膜トランジスタを作製し,ガス分子の吸着による導電率の変調を観察したことからナノ薄膜型ガスセンサヘの応用を示した。(著者抄録)

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半導体薄膜 , トランジスタ , 計測機器一般

引用文献 (8件)：

Dong-won Choi, Jin-Seong Park, Highly conductive SnO₂ thin films deposited by atomic layer deposition using tetrakis-dimethyl-amine-tin precursor and ozone reactant, Surface & Coatings Technology 259 (2014) 238-243.
吉田貞史,近藤高志,薄膜工学第2版,丸善出版,(2011).
菊地航,山形大学大学院理工学研究科,修士学位論文 2018.
Jeffrey W. Elam, David A. Baker, Alexander J. Hryn, Alex B. F. Martinson, Michael J. Pellin, Joseph T. Hupp, Atomic layer deposition of tin oxide films using tetrakis(dimethylamino)tin, J. Vac. Sci. Technol. A 26(2), Mar/Apr 2008.
Min-Jung Choi, Cheol Jin Cho, Kwang-Chon Kim, Jung Joon Pyeon, Hyung-Ho Park, Hyo-Suk Kim, Jeong Hwan Han, Chang Gyoun Kim, Taek-Mo Chung, Tae Joo Park, Beomjin Kwon, Doo Seok Jeong, Seung-Hyub Baek, Chong-Yun Kang, Jin-Sang Kim, Seong Keun Kim, SnO₂ thin films grown by atomic layer deposition using a novel Sn precursor, Applied Surface Science 320 (2014) 188-194.

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