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J-GLOBAL ID：201902237560377699   整理番号：19A0656870

次世代ナノリソグラフィーのためのブロック共重合体自己集合に基づくサブ3nm特徴サイズの作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Sub-3 nm Feature Size Based on Block Copolymer Self-Assembly for Next-Generation Nanolithography

著者 (8件)： Kwak Jongheon (National Creative Research Initiative Center for Smart Block Copolymers, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Mishra Avnish Kumar (National Creative Research Initiative Center for Smart Block Copolymers, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Lee Jaeyong (National Creative Research Initiative Center for Smart Block Copolymers, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Lee Kyu Seong (National Creative Research Initiative Center for Smart Block Copolymers, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Choi Chungryong (National Creative Research Initiative Center for Smart Block Copolymers, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Maiti Sandip (National Creative Research Initiative Center for Smart Block Copolymers, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Kim Mooseong (National Creative Research Initiative Center for Smart Block Copolymers, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Kim Jin Kon (National Creative Research Initiative Center for Smart Block Copolymers, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Republic of Korea)
資料名： Macromolecules  (Macromolecules)
巻： 50  号： 17  ページ： 6813-6818  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0952A  ISSN： 0024-9297  CODEN： MAMOBX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高密度記憶媒体およびD-RAMに対して,リソグラフィーの特徴サイズは,非常に低減されなければならない(すなわち,10nm未満)。いくつかの研究グループは5~6nmの特徴サイズを報告しているが,次世代リソグラフィーのためにはさらに縮小した特徴サイズが必要である。PSブロック(f_PS)の体積分率を調整することにより,層状及び円筒状ミクロドメインを示す可逆的付加-フラグメンテーション連鎖移動重合,ポリジヒドロキシスチレン-block-ポリスチレン(PDHS-b-PS)共重合体を経由して合成した。PDHSとPS間のFlory-Huggins相互作用パラメータ(χ)は非常に大きく,170°Cで0.7であった。巨大χのために,2.1kgmol-1とf_PS=0.5の全分子量を有するPDHS-b-PSのラメラドメイン間隔(L)はわずか5.9nmであった。このようにして,サブ3nmの特徴サイズ(半ピッチ)を得ることに成功した。さらに,分子量4.2kgmol-1およびf_PS=0.79のPDHS-b-PSは,直径4nmの六角形充填円筒を示した。また,円筒状ミクロドメインを有するPDHS-b-PSの薄膜を得て,8.8nmの中心-中心間隔を示した。さらに,原子層堆積により円筒単分子層薄膜から超高密度ZrO_2ナノワイヤアレイを作製し,次世代リソグラフィー用のPDHS-b-PSの適用性を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 分子量 ,  *ブロック共重合体 ,  記憶媒体 ,  *自己集合 ,  ミクロドメイン ,  DRAM ,  円筒 ,  *リソグラフィー ,  薄膜 ,  単分子層 ,  体積率
準シソーラス用語： ナノワイヤアレイ ,  可逆的付加-フラグメンテーション連鎖移動重合 ,  高密度 ,  *ナノリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 次世代 ,  ナノリソグラフィー ,  ブロック共重合体 ,  自己集合 ,  サブ ,  サイズ ,  作製