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J-GLOBAL ID：201902238177690182   整理番号：19A1873496

n-GaNのための酸化物形成二段階ウェットエッチングプロセスの提案

Proposal of oxide-formed two-step wet etching process for n-GaN

著者 (4件)： KIYOTO Yasuharu (Tokyo Univ. Technol., Tokyo, JPN) ,  MAKIE Tetsuo (Tokyo Univ. Technol., Tokyo, JPN) ,  FUJIOKA Hiroshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MAEDA Narihiko (Tokyo Univ. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SC  ページ： SCCD18.1-SCCD18.7  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  N型半導体 ,  *ウェットエッチング ,  酸化物 ,  可制御性 ,  アノード酸化 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  電気伝導 ,  時間依存性 ,  X線光電子分光法 ,  *酸化
準シソーラス用語： 通電 ,  電気化学酸化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (30件)：

• Y. F. Wu, A. Saxler, M. Moore, R. P. Smith, S. Sheppard, P. M. Chavarkar, T. Wisleder, U. K. Mishra, and P. Parikh, IEEE Electron Device Lett. 27, 3 (2004).
• T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
• T. Oka, T. Ina, Y. Ueno, and J. Nishii, Appl. Phys. Express 8, 054101 (2015).
• C. Y. Chan, T. C. Lee, S. S. H. Hsu, L. Chen, and Y. S. Lin, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 478 (2007).
• M. Kim, Y. H. Choi, J. Lim, Y. S. Kim, O. Seok, and M. K. Han, CS MANTECH Conf. 17, 237 (2010).

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  酸化物 ,  段階 ,  ウェットエッチング ,  プロセス ,  提案