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J-GLOBAL ID：201902238892028562   整理番号：19A0511992

0.1から1MA/μm2までの臨界電流密度を持つ非シャントおよび抵抗分路Nb/AlOx-Al/Nb Josephson接合の特性【JST・京大機械翻訳】

Properties of Unshunted and Resistively Shunted Nb/AlOx-Al/Nb Josephson Junctions With Critical Current Densities From 0.1 to 1 mA/μm2

著者 (8件)： Tolpygo Sergey K. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Bolkhovsky Vladimir (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Zarr Scott (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Weir T. J. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Wynn Alex (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Day Alexandra L. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Johnson L. M. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Gouker M. A. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.1100815.1-15  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導集積回路におけるJJモデリングのための基本パラメータと統計的特性を抽出し,将来の技術ノードに対するそれらの可能性を評価するために,高臨界電流密度J_cをもつ非シャントおよび外部シャントJosephson接合(JJ)の電流-電圧特性を調べた。0.5から6μmまでの直径を有するNb/AlO_x-Al/Nb接合を,シート抵抗R_sq=2Ω/sqおよびR_sq=6Ω/sqを有するMoまたはMoN_x薄膜シャント抵抗器を用いて完全に平坦化したプロセスを用いて作製した。J_c=0.1mA/μm2のJJを作製するために,現在の標準MIT Lincoln研究所プロセスノードSFQ5eeを使用し,J_c=0.2mA/μm2のJJと約1mA/μm2までのより高い電流密度を実現する新しいプロセスノードSFQ5hs(ここではhs)を用いた。短絡JJのI-V特性に関するLRC共振特性を用いて,1.4pH/sqのMoシャント抵抗器に関連するインダクタンスを抽出した。このインダクタンスの主な部分は約1.1pH/sqで,40nmのMo抵抗膜のインダクタンスであるが,超伝導Nb配線の幾何学的インダクタンスは残りに寄与する。この大きなインダクタンスは,σ_0が静的伝導度で,電子散乱時間がτ_0である,角度周波数ω,σ(ω)=σ_0/(1+iωτ)の電磁場における,薄い正常金属膜の複素伝導率から生じる「動力学」インダクタンスに起因する。抵抗結合小面積短絡JJにより励起された大面積非短絡高J_c接合における共鳴を用いて,0.1~1mA/μm~2J_c範囲における高J_c接合のJosephsonプラズマ周波数と比静電容量を抽出した。J_c標的化とJJ臨界電流広がりに関するデータも示した。シャント抵抗器なしの高密度集積回路において,非常に大規模集積単一磁束量子回路および0.5mA/μm~2JJにおいて,0.2mA/μm~2JJを用いる可能性を検討した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インダクタンス ,  *Josephson接合 ,  電流電圧特性 ,  *接合 ,  超伝導 ,  配線 ,  *ニオブ ,  *臨界電流 ,  電磁場 ,  シート抵抗 ,  モデリング ,  モリブデン ,  *臨界電流密度 ,  金属薄膜
準シソーラス用語： シャント抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  符号理論  (ND02030R) ,  AD・DA変換回路  (NC05080M) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 臨界電流密度 ,  シャント ,  分路 ,  Nb ,  Al ,  Josephson接合