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J-GLOBAL ID：201902239258820118   整理番号：19A2114849

シリコン上に完全に集積した超低雑音広可変同調半導体レーザ【JST・京大機械翻訳】

Ultra-low Noise Widely-Tunable Semiconductor Lasers Fully Integrated on Silicon

著者 (9件)： Tran M. A. (University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Huang D. (University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Guo J. (University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Peters J. (University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Komljenovic T. (University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Morton P. A. (Morton Photonics Inc, West Friendship, MD, 21794, USA) ,  Khurgin J. B (Morton Photonics Inc, West Friendship, MD, 21794, USA) ,  Morton C. D. (Morton Photonics Inc, West Friendship, MD, 21794, USA) ,  Bowers J. E. (University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CSW  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低損失導波路と新しい共振器設計を用いて,200Hzより低い基本線幅をもつシリコン上の完全集積レーザを実証した。レーザはまた,三つの光通信帯(S+C+L)を横切って110nmの超広波長同調範囲をもつ。これらは,これまでに文献で報告された全ての完全集積半導体レーザに対する記録結果である。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光通信 ,  *レーザ ,  導波路 ,  *半導体レーザ ,  波長 ,  共振器 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 同調範囲 ,  線幅 ,  *可変同調 ,  *超低雑音 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 音声処理  (JE05000E) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  集積 ,  低雑音 ,  可変同調 ,  半導体レーザ