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J-GLOBAL ID：201902239656647473   整理番号：19A1415426

埋め込み酸化AlAs犠牲層を有するリン化物ベースのエピタキシャル構造の構造解析【JST・京大機械翻訳】

Structural analysis of a phosphide-based epitaxial structure with a buried oxidized AlAs sacrificial layer

著者 (7件)： Englhard M. (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany) ,  Reuters B. (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany) ,  Baur J. (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany) ,  Klemp C. (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany) ,  Zaumseil P. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Schroeder T. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Skibitzki O. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 21  ページ： 215303-215303-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsに格子整合したリン酸塩ベース薄膜発光ダイオード(TF-LED)は,550~650nmの波長範囲でオプトエレクトロニクスにおいて良く確立されている。本研究では,酸化されたAlAsがリン酸塩に基づく擬規則的に成長させたエピタキシャル構造に及ぼす影響を調べた。埋め込まれたAlAs犠牲層の酸化は,成長したTF-LEDエピタクシーの基板からの分離を可能にし,酸化リフトオフ過程を可能にする。チップの構造に及ぼす進行酸化の歪効果を評価するために,成長したまま,メサ構造化,半酸化,完全に横方向に酸化したチップについて高分解能X線回折分析を行った。各状態において,シュードモルフィックのリン酸塩ベースのInAlP層が見出された。InAlP層は約0.20%の引張面外歪と約-0.19%の圧縮面内歪を示した。さらに,走査透過型電子顕微鏡,エネルギー分散X線分光法およびμ-光ルミネセンスを用いて,AlAsの酸化フロントの境界領域,リン酸塩ベース半導体(InAlP/InGaAsAlP)と酸化非晶質AlAsの間の界面およびInGaAsP多重量子井戸の発光を調べた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  電子顕微鏡観察 ,  オプトエレクトロニクス ,  基板 ,  半導体 ,  *酸化 ,  *ヒ化アルミニウム ,  ヒ化ガリウム ,  *エピタクシー ,  非晶質 ,  発光ダイオード ,  リン酸塩 ,  メサ構造 ,  界面 ,  薄膜
準シソーラス用語： リフトオフ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 埋め込み ,  酸化 ,  AlAs ,  犠牲層 ,  リン化物 ,  エピタキシャル ,  構造解析