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J-GLOBAL ID：201902240141036890   整理番号：19A1414751

室温でのSi(111)-(7×7)基板への個々の吸着原子を置換するための原子操作法【JST・京大機械翻訳】

Atom manipulation method to substitute individual adsorbate atoms into a Si(111)-(7 × 7) substrate at room temperature

著者 (4件)： Yurtsever Ayhan (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-Oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Abe Masayuki (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-1 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan) ,  Morita Seizo (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-Oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Sugimoto Yoshiaki (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-Oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 23  ページ： 233102-233102-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で原子間力顕微鏡(AFM)のチップを用いて,個々の吸着原子をSi(111)-(7×7)基板に置換する方法を実証した。Si(111)-(7×7)基板の半単位胞(HUCs)内で拡散する単一Sn原子は,チップの接近したアプローチによりSi吸着原子サイトに置換され,固有のSi吸着原子が隣接するHUCsの表面上に放出されることを示した。Sn原子置換サイトは,HUCsの境界近くのある位置で表面に向かうAFMチップのアプローチにより正確に制御できるが,拡散Sn原子によりHUCからわずかにシフトした。走査トンネル顕微鏡を用いて,Si(111)-(7×7)表面のSi吸着原子をPbと置換するこの操作法を実証した。この方法は,ナノ構造材料におけるドーピングサイトの制御を可能にする,基板により提供される閉じ込められた空間内で拡散する吸着原子からのある位置での単一原子置換ドーピングを誘導する方法を提供する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  ナノ材料 ,  ドーピング ,  *基板 ,  原子間力顕微鏡 ,  スズ ,  鉛
準シソーラス用語： 単一原子 ,  AFMチップ ,  単位格子 ,  *原子操作 ,  *吸着原子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  Si ,  吸着原子 ,  置換 ,  原子操作