文献

J-GLOBAL ID：201902240141294012   整理番号：19A1376038

C-V法によるInGaZnO-TFTの可動電荷評価

著者 (9件)： 高橋崇典 (奈良先端科学技術大学院大) ,  宮永良子 (奈良先端科学技術大学院大) ,  藤井茉美 (奈良先端科学技術大学院大) ,  田中淳 (Tianma Japan) ,  竹知和重 (Tianma Japan) ,  田邉浩 (Tianma Japan) ,  BERMUNDO Juan Paolo (奈良先端科学技術大学院大) ,  石河泰明 (奈良先端科学技術大学院大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-S011-18  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】ワイドバンドギャップ酸化物半導体を用いた電界効果トランジスタはディスプレイの画素駆動素子だけではなく次世代のパワーデバイスとしても注目されている。トランジスタの動作時おいて、半導体層は高ドレイン電圧(Vd)による電界ストレス及び...【本文一部表示】

シソーラス用語： 容量電圧特性 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  格子欠陥 ,  電圧変動 ,  特性 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  TFT【トランジスタ】 ,  閾値電圧シフト ,  トランスファー特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： TFT ,  電荷 ,  評価