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J-GLOBAL ID：201902240509953167   整理番号：19A1414805

低熱収支での応力誘起結晶化によるTiN/Hf_0.5Zr_0.5O_2/TiNキャパシタの大きな強誘電分極【JST・京大機械翻訳】

Large ferroelectric polarization of TiN/Hf_0.5Zr_0.5O₂/TiN capacitors due to stress-induced crystallization at low thermal budget

著者 (14件)： Kim Si Joon (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Narayan Dushyant (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Lee Jae-Gil (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Mohan Jaidah (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Lee Joy S. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Lee Jaebeom (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Kim Harrison S. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Byun Young-Chul (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Lucero Antonio T. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Young Chadwin D. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Summerfelt Scott R. (Texas Instruments, 13121 TI Blvd, Dallas, Texas 75243, USA) ,  San Tamer (Texas Instruments, 13121 TI Blvd, Dallas, Texas 75243, USA) ,  Colombo Luigi (Texas Instruments, 13121 TI Blvd, Dallas, Texas 75243, USA) ,  Kim Jiyoung (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas 75080, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 24  ページ： 242901-242901-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルス書込み/読出し測定から抽出された大きなスイッチング分極(45μC/cm2)と低いFE飽和電圧(~1.5V)を特徴とする優れた強誘電(FE)特性を示す原子層堆積Hf_0.5Zr_0.5O_2(HZO)ベースのキャパシタについて報告する。HZOにおける大きなFE分極は,少なくとも90nmの厚さをもつTiN上部電極(TE)によって可能になる非中心対称斜方晶相の形成によって達成される。TiN膜を室温で堆積し,急速熱アニーリングシステムにおいて少なくとも1分間不活性環境中で400°Cでアニールした。室温で堆積したTiN TEは,アニーリング過程の間に,HZO膜上の引張ストレッサとして作用した。応力誘起TiN TEは,HZO結晶化中の単斜晶相の形成を抑制し,低いプロセス温度でも大きなFE分極を生成する斜方晶相を形成することを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  電圧 ,  *結晶化 ,  RTA【熱処理】 ,  *分極 ,  対称性 ,  単斜晶系 ,  パルス ,  斜方晶系 ,  焼なまし ,  引張 ,  *コンデンサ
準シソーラス用語： *窒化チタン ,  読出し ,  *強誘電分極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱収支 ,  応力 ,  誘起 ,  結晶化 ,  TiN ,  キャパシタ ,  強誘電分極