金属支援化学エッチングによる多孔質シリコンおよびシリコンナノワイヤーへのシリコンのエンジニアリング: 形態制御および機構に対するAgサイズおよびElectron捕捉速度の役割【JST・京大機械翻訳】

Rajkumar Kanakaraj; Pandian Ramanathaswamy; Sankarakumar Amirthapandian; Rajendra Kumar Ramasamy Thangavelu; Rajendra Kumar Ramasamy Thangavelu

文献

J-GLOBAL ID：201902240590188332 整理番号：19A0182854

金属支援化学エッチングによる多孔質シリコンおよびシリコンナノワイヤーへのシリコンのエンジニアリング: 形態制御および機構に対するAgサイズおよびElectron捕捉速度の役割【JST・京大機械翻訳】

Engineering Silicon to Porous Silicon and Silicon Nanowires by Metal-Assisted Chemical Etching: Role of Ag Size and Electron-Scavenging Rate on Morphology Control and Mechanism

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資料名：
巻： 2 号： 8 ページ： 4540-4547 発行年： 2017年
JST資料番号： W5044A ISSN： 2470-1343 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

簡単な化学エッチング法によりバルクシリコンウエハから出発する多孔質Si(PS)と垂直整列シリコンナノワイヤアレイの制御された作製を実証し,ナノ構造形成の基礎となる機構を示した。金属触媒からのシリコン酸化速度と電子捕獲速度は,Siナノ構造の形態を決定する上で極めて重要な役割を果たしている。Ag触媒のサイズはSi酸化速度に影響することが分かった。不規則な多孔質から規則的なナノワイヤ構造への調整可能な形態は,Agナノ粒子のサイズとH2O2濃度を制御することによって調整できた。約30nmのサイズのAgナノ粒子は不規則な多孔質構造をもたらしたが,不連続Ag膜はナノワイヤ構造をもたらした。多孔質Si構造の深さとSiナノワイヤのアスペクト比はH2O2濃度に依存した。固定エッチング時間に対して,多孔質構造の深さはH2O2濃度の増加により増加した。H2O2濃度を変えることにより,ナノワイヤの表面空隙率とアスペクト比を制御した。Ag触媒サイズの制御はエッチングしたSiナノ構造の形態に大きく影響する。H_2O_2濃度は,多孔質シリコンの多孔性,ケイ素ナノワイヤの寸法と表面多孔性,およびエッチング深さを決定する。AgのサイズとH2O2濃度依存解離の機構と多孔質シリコンとシリコンナノワイヤの形成を詳細に記述した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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固体デバイス製造技術一般 , 半導体薄膜

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