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J-GLOBAL ID：201902240590725242   整理番号：19A2157313

自己スパッタ結合法を用いた室温でのシリコンへのタンタル酸リチウムの直接接合

Direct bonding of lithium tantalate to silicon at room temperature by using a self-sputtered bonding method

著者 (1件)： UTSUMI Jun (Mitsubishi Heavy Ind. Machine Tool Co., Ltd., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SG  ページ： SGGC06.1-SGGC06.4  発行年： 2019年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低い熱膨張係数を持つ支持基板への圧電基板の直接接合は,温度補償表面音響波デバイスの作製に用いられる方法である。タンタル酸リチウム(LiTaO₃)ウエハをシリコン(Si)ウエハに室温で接合する新しい技術を提案する。Siウエハの表面をエッチングし,Arプラズマにより活性化し,一方,Siの薄膜を高真空下でLiTaO₃ウエハの表面に堆積した。次に,2つのウエハを直ちに接触させた。亀裂開口法と引張試験は,ウエハ間の結合が表面活性化接合法により生成されたものよりも強いことを確認した。透過型電子顕微鏡により,結合界面で約8nm厚の非晶質中間層が観察された。提案した方法は,それらの熱膨張率の大きな不整合を有する異種材料の室温直接接合に有用であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 室温 ,  *ウエハ【IC】 ,  *タンタル酸リチウム ,  *接合 ,  熱膨張係数 ,  圧電材料 ,  温度補償 ,  *弾性表面波素子 ,  表面 ,  エッチング ,  半導体薄膜 ,  亀裂 ,  引張試験 ,  付着力 ,  透過型電子顕微鏡 ,  非晶質 ,  層 ,  *直接接合 ,  基板表面 ,  引張亀裂 ,  表面活性化接合 ,  中間層 ,  *シリコンウエハ ,  シリコン薄膜
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  表面音響波デバイス ,  アルゴンプラズマ ,  ケイ素薄膜 ,  亀裂開口 ,  接着力

分類 (1件)： 接着  (WC07020V)

引用文献 (50件)：

• J. Hayashi, K. Yamaya, M. Suzuki, S. Kakio, H. Suzaki, T. Yonai, K. Kishida, and J. Mizuno, Jpn. J. Appl. Phys. 57, 07LD21 (2018).
• C. K. Campbell, Surface Acoustic Wave Devices for Mobile and Wireless Communications (Academic, San Diego, 1998), p. 237.
• T. E. Parker and H. Wichansky, J. Appl. Phys. 50, 1360 (1979).
• K. Yamanouchi and S. Hayama, IEEE Trans. Sonics Ultrason. SU-31, 51 (1984).
• K. Asai, M. Hikita, A. Isobe, K. Sakiyama, and T. Tada, Proc. IEEE. Ultrason. Symp., 2000, p. 235.

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己 ,  スパッタ ,  室温 ,  シリコン ,  タンタル酸リチウム ,  直接接合