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J-GLOBAL ID：201902240939612364   整理番号：19A1252593

GaAs/GaAsBiコア-シェルナノワイヤヘテロ構造における歪変形【JST・京大機械翻訳】

Strain deformation in GaAs/GaAsBi core-shell nanowire heterostructures

著者 (5件)： Matsuda T. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime, 790-8577, Japan) ,  Takada K. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime, 790-8577, Japan) ,  Yano K. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime, 790-8577, Japan) ,  Shimomura S. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime, 790-8577, Japan) ,  Ishikawa F. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime, 790-8577, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 125  号： 19  ページ： 194301-194301-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)基板上に鋭くファセット化したGaAs/GaAsBiコア-シェルヘテロ構造ナノワイヤの成長と歪変形を示した。ナノワイヤは厚さ80nmのGaAsBiシェルで囲まれた90nm幅のGaAsコアを有していた。試料をマイクロビームシンクロトロンX線回折を用いて解析し,GaAs/GaAsBiヘテロ界面における局所歪状態を解明した。GaAsBiはその垂直および横方向格子面に対して同一の格子定数を示した。格子定数から,GaAsBi中のBi濃度は約1.3%と推定された。対照的に,GaAsコアは二軸歪変形を示し,GaAsBiシェルのそれと同一の大きい垂直格子定数を示した。これらの層はナノワイヤの側壁でコヒーレントに成長し,ヘテロ構造中の構成層間の同一の垂直格子定数を保存した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コヒーレンス ,  *ビスマス ,  基板 ,  ファセット ,  格子定数 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  *コアシェル構造 ,  二軸ひずみ ,  局所歪 ,  ヘテロ界面 ,  放射光X線回折 ,  マイクロビーム ,  シリコン(111) ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  GaAsBi ,  コア-シェル ,  ナノワイヤ ,  ヘテロ構造