強化された耐光腐食性と光触媒特性のためのグラフェン-ドラップド半導体【JST・京大機械翻訳】

Wang Mengye; Cai Lejuan; Wang Yi; Zhou Feichi; Xu Kang; Tao Xiaoming; Chai Yang

文献

J-GLOBAL ID：201902241546278148 整理番号：19A1406443

強化された耐光腐食性と光触媒特性のためのグラフェン-ドラップド半導体【JST・京大機械翻訳】

Graphene-Draped Semiconductors for Enhanced Photocorrosion Resistance and Photocatalytic Properties

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=19A1406443&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=19A1406443&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0254A") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 139 号： 11 ページ： 4144-4151 発行年： 2017年03月22日
JST資料番号： C0254A ISSN： 0002-7863 CODEN： JACSAT 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半導体光触媒は,光化学水分解,有機汚染物質の精製,および細菌解毒に広く使用されてきた。しかし,ほとんどの光触媒は可視光照射下で光腐食から大きく苦しんでいる。ここでは,半導体CdS電極上に非常に不透過性のグラフェン層を乾燥させることにより,光触媒の光腐食抵抗を著しく改善するための実行可能な戦略を報告する。注目すべきことに,3層グラフェンドレープCdS光触媒の平均寿命は,グラフェン乾燥なしで調製したままのCdS対応物と比較して8倍長くなった。グラフェン層の導入は,CdS膜の電荷キャリア再結合を大きく抑制し,光ルミネセンス(PL)と電気化学インピーダンス分光法研究によって明らかにされたように,グラフェンで駆動されたCdS電極/電解質界面でのキャリア移動抵抗を減少させ,光電流を増加させ,光触媒性能を向上させた(すなわち,調製されたCdSの場合と比較して2.5倍の増加)。密度汎関数理論計算により,電子はCdSからグラフェンへ容易に移動し,PL測定と良く相関することを示した。光腐食は主にCdSとO_2との間の酸化反応によって引き起こされ,X線光電子分光法特性化によって証明された光生成ホールによって支援された。乾燥したグラフェンはCdS膜とO_2とH_2Oの間の直接接触を効果的に防止し,可視光曝露によるCdSの光腐食をかなり遅延させた。半導体光触媒の耐光腐食のためのこの簡単ではあるがロバストなグラフェン乾燥戦略は,それが周囲環境に入ることを妨げるので,環境に優しく,その結果,可能な二次汚染を除去する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , ,
, , , 【Automatic Indexing@JST】

光化学反応

, , ,

前のページに戻る