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J-GLOBAL ID：201902241630570742   整理番号：19A0037043

強誘電分極スイッチングにより生じるMFMISおよびMFISトランジスタのサブしきい値挙動【JST・京大機械翻訳】

Subthreshold Behavior of MFMIS and MFIS Transistors caused by Ferroelectric Polarization Switching

著者 (5件)： Han Qinghua (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, Juelich, 52428, Germany) ,  Aleksa Paulus (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, Juelich, 52428, Germany) ,  Schubert Juergen (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, Juelich, 52428, Germany) ,  Mantl Siegfried (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, Juelich, 52428, Germany) ,  Zhao Qing-Tai (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, Juelich, 52428, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICSICT  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電分極スイッチングは,金属-ferroelectric-金属-絶縁体(MFMIS)FETおよび金属-強誘電体-絶縁体-半導体(MFIS)FETの性能に及ぼす種々の影響を示した。MFMIS FETにおいて,分極スイッチングは,フローティングゲートにおける突然の電荷変化を引き起こし,FETのサブ閾値スイング(SS)を改善することができ,一方,強誘電体キャパシタは正のキャパシタンスを示した。この改善は,通常のMOSETに対して異なるサイズの強誘電体キャパシタを実験的に接続することによって証明された。これらの効果を説明するために,修正解析SS方程式を開発した。MFIS FETにおいて,分極スイッチングは過渡的負の容量(NC)効果を引き起こし,それはSSを改善することもできる。最小8mV/decのサブ熱SSと2.5年間の平均30mV/decが観察された。しかし,過渡NCはトラップ帯電に敏感である。MFIS FETのサイクリング掃引測定の増加により,サブ熱SSを有するドレイン電流範囲は劣化し,最終的に消失した。トラップ帯電効果はこのような現象を引き起こすと考えられる。これら二つのトランジスタに対する偏光効果を論じた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  *分極反転 ,  フローティングゲート ,  偏光 ,  帯電 ,  *スイッチング ,  静電容量 ,  電荷 ,  絶縁体 ,  半導体 ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  強誘電体コンデンサ ,  *サブ閾値 ,  *強誘電分極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電分極 ,  スイッチング ,  トランジスタ ,  サブしきい値 ,  挙動