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J-GLOBAL ID：201902241738336668   整理番号：19A1414945

走査型非線形誘電顕微鏡を用いたリン注入単結晶シリコン太陽電池における活性ドーパント密度分布の定量的測定【JST・京大機械翻訳】

Quantitative measurement of active dopant density distribution in phosphorus-implanted monocrystalline silicon solar cell using scanning nonlinear dielectric microscopy

著者 (4件)： Hirose K. (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Tanahashi K. (Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Koriyama, Fukushima 963-0298, Japan) ,  Takato H. (Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Koriyama, Fukushima 963-0298, Japan) ,  Cho Y. (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 3  ページ： 032101-032101-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)太陽電池の性能はエミッタの活性ドーパント分布に依存する。イオン注入により作製したSi太陽電池におけるドーパント分布の推定は,エミッタのピラミッド表面組織により困難である。ここでは,走査非線形誘電顕微鏡(SNDM)を用いて,P注入Si太陽電池における活性ドーパント分布を調べた。SNDMとdC/dz-SNDMを,Si太陽電池の断面におけるキャリア分布を可視化するために補完的に適用した。Si標準試料から得たSNDMデータを用いて,エミッタ中のキャリア密度を較正した。結果は,ドーパント分布がピラミッド面の垂直方向に分布する二つのGauss関数の和として記述できることを示した。三次元(3D)ドーパント分布を各ピラミッド面でのP分布の重ね合わせから推定した。推定した3Dドーパント分布はSNDM測定結果と良く一致した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三次元 ,  キャリア密度 ,  *ケイ素 ,  *ドーパント ,  *密度分布 ,  *走査 ,  *太陽電池 ,  重合せ ,  イオン注入 ,  可視化 ,  表面構造 ,  角錐 ,  Gauss関数 ,  *結晶シリコン太陽電池 ,  構造
準シソーラス用語： キャリア分布 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： 走査型 ,  非線形 ,  顕微鏡 ,  リン ,  注入 ,  単結晶シリコン太陽電池 ,  活性 ,  ドーパント ,  密度分布 ,  定量