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J-GLOBAL ID：201902242062644103   整理番号：19A0524460

パワーMOSFETターンオンスイッチング速度限界における寄生容量の役割:SiC事例研究【JST・京大機械翻訳】

Role of parasitic capacitances in power MOSFET turn-on switching speed limits: A SiC case study

著者 (4件)： Cittanti Davide (Department of Energy, Politecnico di Torino, Turin, Italy) ,  Iannuzzo Francesco (Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark) ,  Hoene Eckart (Fraunhofer IZM, Berlin, Germany) ,  Klein Kirill (Fraunhofer IZM, Berlin, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 1387-1394  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ターンオンスイッチング遷移中のチャネル電流に及ぼすMOSFET内部容量の影響を記述した。固有の理論的スイッチング速度限界を見出し,数学的に詳細に述べた。解析方程式のセットを解き,変位電流の影響を理想的なシミュレーション波形で強調した。理論的予測を証明するために,実験室実験を行った。25mΩSiC CREEパワーMOSFETを,異なるドレイン-ソース電圧値から出発して,無負荷条件(ゼロドレイン電流)でターンオンした。最後に,LTSpice等価回路モデルを構築し,素子の実験的挙動をより良くシミュレートし,回路歪成分と他の非理想性を全体モデルに加えた。測定とシミュレーションの間の良好な一致を観測し,理論的仮定と提示したモデルのいずれかを検証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 無負荷 ,  電流 ,  シミュレーション ,  *スイッチング ,  チャネル ,  *ターンオン ,  *事例研究 ,  *漂遊容量 ,  電圧 ,  予測 ,  *MOSFET ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *スイッチング速度 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： パワーMOSFET ,  ターンオン ,  スイッチング ,  速度限界 ,  寄生容量 ,  役割 ,  SiC ,  研究