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J-GLOBAL ID：201902242086479079   整理番号：19A0157215

UV光励起を使ったワイドギャップβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の室温合成

著者 (7件)： 森田公之 (東京工大) ,  大賀友瑛 (東京工大) ,  松田晃史 (東京工大) ,  吉本護 (東京工大) ,  土嶺信男 (豊島製作所) ,  金子智 (東京工大) ,  金子智 (神奈川県産総技研)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 31st  ページ： ROMBUNNO.2PQ02  発行年： 2018年08月27日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *基板 ,  *表面ステップ ,  原子 ,  平面 ,  *αアルミナ ,  *酸化ニッケル ,  *バッファ層 ,  *非晶質 ,  *酸化ガリウム ,  *パルスレーザ蒸着 ,  エキシマレーザ ,  フッ化クリプトン ,  バンドギャップ ,  パルスレーザ照射 ,  *レーザアニーリング ,  *薄膜 ,  *エピタクシー ,  酸素 ,  結晶度 ,  *結晶化 ,  エピタキシャル膜 ,  超平面 ,  KrFレーザ
準シソーラス用語： KrFエキシマレーザ ,  パルスレーザ堆積 ,  緩衝層 ,  結晶性 ,  エピタキシャル成長

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： UV光 ,  励起 ,  ギャップ ,  β-Ga2O3 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  室温