文献

J-GLOBAL ID：201902242323103998   整理番号：19A1827329

テラビットスケール高密度応用のためのAgイオンメモリセル技術【JST・京大機械翻訳】

Ag Ionic Memory Cell Technology for Terabit-Scale High-DensityApplication

著者 (10件)： Fujii Shosuke (Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan) ,  Ichihara Reika (Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan) ,  Konno Takuya (Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan) ,  Yamaguchi Marina (Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan) ,  Seki Harumi (Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan) ,  Tanaka Hiroki (Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan) ,  Zhao Dandan (Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan) ,  Yoshimura Yoko (Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan) ,  Saitoh Masumi (Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan) ,  Koyama Masato (Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： VLSI Circuits  ページ： T188-T189  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブμAの40nm Agイオンメモリセルから構成され,10年のデータ保持を持つ交差点メモリアレイを実証し,それをテラビットスケールの高密度メモリ応用のための有望な候補とした。大きくて密なAgクラスタを有する不連続導電性経路は,I-Vにおいて高い非線形性を保ちながら,サブμA電流でも10年の保持を可能にした。最初に,改良セルを40nm交差点アレイに実装し,信頼できるアレイ動作のための要求を満たす狭い読取分布を実証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *銀 ,  *記憶装置 ,  交差点 ,  非線形性 ,  不連続性 ,  *記憶素子 ,  クラスタ ,  電流 ,  導電性
準シソーラス用語： メモリアレイ ,  データリテンション ,  *銀イオン ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  AD・DA変換回路  (NC05080M) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高密度 ,  応用 ,  Agイオン ,  メモリセル