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J-GLOBAL ID：201902242662962839   整理番号：19A1873306

岩塩型クラスタ硫化物V4GeS8の輸送特性とMn置換効果

Transport properties of rocksalt-type cluster sulfides V4GeS8 and Mn substitution effect

著者 (3件)： MIYATA Masanobu (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  OZAKI Taisuke (Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN) ,  KOYANO Mikio (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 6  ページ： 061008.1-061008.6  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 岩塩型クラスタ硫化物V_4-xMn_xGeS₈(x=0,0.02,0.05)の電子的および熱電的性質を実験的および理論的に調べた。V₄GeS₈の多結晶試料に対して,lnρ-T^-1曲線は250K以上で良好な直線性を示した。一方,lnρ-T^-1/4曲線は250K以下で直線性を示した。この結果は,Arrhenius型が250K以上で支配的であり,3D可変範囲ホッピングが低温領域で支配的であることを示した。Mn置換V_4-xMn_xGeS₈(x=0.02,0.05)に対して,ρとSの絶対値はxの増加と共に減少した。この結果は,正孔ドーピングがV³⁺からMn²⁺への置換によって起こることを示している。密度汎関数理論計算を用いたV₄GeS₈の計算したHOMOは,V₄S₄クラスタにおけるV-3d軌道が支配的であることを示した。この結果は,伝導正孔がV₄S₄から他のV₄S₄に通過することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 岩塩型結晶 ,  クラスタ ,  *硫化物 ,  *バナジウム化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *特性 ,  *マンガン ,  *効果 ,  電子構造 ,  電気特性 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  図化 ,  ホッピング伝導 ,  ドーピング ,  計算 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： *輸送特性 ,  *元素置換効果 ,  熱電気特性 ,  比抵抗 ,  Arrheniusプロット ,  可変領域ホッピング ,  正孔ドーピング ,  密度汎関数理論計算

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

引用文献 (31件)：

• B. D. Carter and M. C. B. Ashley, Astron. Soc. Aust. 9, 158 (1991).
• J. Williams, Linear Technology Corporation, Application Note 89 (2001).
• B. Poudel et al., Science 320, 634 (2008).
• F. Hao et al., Energy Environ. Sci. 9, 3120 (2016).
• X. Wenjie, W. Shanyu, Z. Song, H. Jian, T. Xinfeng, Z. Qingjie, and T. M. Tritt, J. Mater. Sci. 48, 2745 (2013).

タイトルに関連する用語 (6件)： 岩塩 ,  クラスタ ,  硫化物 ,  輸送特性 ,  Mn ,  置換効果