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J-GLOBAL ID：201902242891101380   整理番号：19A0299825

Bサイト置換二重ペロブスカイトBa_2Pr(Bi,Sb)O_6の磁気状態とバンドギャップ【JST・京大機械翻訳】

Magnetic States and Bandgaps of B-Site Substituted Double-Perovskite Ba₂Pr(Bi, Sb)O₆

著者 (5件)： Taniguchi H. (Faculty of Science and Engineering, Iwate University, Morioka, Japan) ,  Matsukawa M. (Faculty of Science and Engineering, Iwate University, Morioka, Japan) ,  Onodera K. (Faculty of Science and Engineering, Iwate University, Morioka, Japan) ,  Nishidate K. (Faculty of Science and Engineering, Iwate University, Morioka, Japan) ,  Matsushita A. (National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 55  号： 2  ページ： ROMBUNNO.2400404.1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bサイト置換二重ペロブスカイトBa_2Pr(Bi_1-xSb_x)O_6(x=0,0.1,0.2,0.25,0.3,0.4,0.5,および1.0)の結晶構造,磁気,および光学特性を実証した。光Sb置換を持つ単相多結晶試料を単斜晶構造(C~2/m)で形成した。強いSb置換試料はBサイト無秩序を伴う菱面体晶系で結晶化する。磁化測定は,有効磁気モーメントが軽いSb置換試料に対して約3.2μ_Bに位置することを示し,Pr3+とPr4+の間の原子価混合を示した。重いSb置換による磁気モーメントはPr3+の原子価に近い。2つの端成分試料に対するバンドギャップエネルギーの大きさは,光学測定からx=0ではE_g=0.977eV,x=1.0では2.395eVと推定された。Sb置換によるバンドギャップ開口の効果を密度汎関数理論を用いて調べた。軽いおよび重いSbドープ化合物は,それぞれ間接および直接半導体において典型的な吸収端を示した。これらの知見は計算結果と定性的に一致した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  有効磁気モーメント ,  三方晶系 ,  *磁気 ,  密度汎関数法 ,  結晶化 ,  結晶構造 ,  多結晶 ,  単相 ,  単斜晶系 ,  *アンチモン ,  原子価 ,  ドーピング ,  半導体 ,  *ダブルペロブスカイト

分類 (3件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 置換 ,  二重ペロブスカイト ,  Bi ,  Sb ,  磁気状態 ,  バンドギャップ