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J-GLOBAL ID：201902242941472456   整理番号：19A1415664

イオン注入II-VI酸化物半導体における正常および逆欠陥アニーリング【JST・京大機械翻訳】

Normal and reverse defect annealing in ion implanted II-VI oxide semiconductors

著者 (6件)： Azarov Alexander (Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway) ,  Galeckas Augustinas (Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway) ,  Wendler Elke (Friedrich-Schiller-Universitaet Jena, Institut fuer Festkorperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany) ,  Ellingsen Josef (Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway) ,  Monakhov Edouard (Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway) ,  Svensson Bengt G. (Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 11  ページ： 115701-115701-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポスト注入アニーリングは構造欠陥を除去し,半導体中に注入されたドーパントを電気的に活性化するために典型的に使用される。しかし,イオン誘起欠陥とグループII酸化物半導体中のドーパントとの相互作用は完全には理解されていない。ここでは,p型ドーピングのための最も有望な候補の一つである窒素を注入したCdOおよびZnO材料におけるアニーリングの過程における欠陥の進展を研究した。光ルミネセンスとイオンチャネリング測定の結果は,CdOとZnOの間の欠陥挙動の著しい違いを明らかにした。特に,CdOにおける欠陥アニーリングは二段階挙動を示し,第一段階は点欠陥の効率的な除去と小さな欠陥クラスタを説明し,第二段階は試料分解が役割を果たす拡張欠陥の漸進的消失を含む。対照的に,最大欠陥濃度約900°CのZnOに対して強い逆アニーリングが起こる。この効果は窒素イオンに対して排他的に起こり,窒素の存在によって促進される拡張欠陥の効率的な成長に起因する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオンチャネリング ,  点欠陥 ,  ドーパント ,  *焼なまし ,  光ルミネセンス ,  *イオン注入 ,  *イオン ,  *半導体 ,  酸化亜鉛 ,  相互作用 ,  窒素
準シソーラス用語： 拡張欠陥 ,  欠陥クラスタ ,  構造欠陥 ,  *酸化物半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン注入 ,  酸化物半導体 ,  欠陥 ,  アニーリング