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J-GLOBAL ID：201902243022464202   整理番号：19A1483751

垂直異方性磁気トンネル接合の磁気および輸送特性に関する参照層に対するW挿入層スパッタリング条件の重要な役割【JST・京大機械翻訳】

Critical Role of W Insertion Layer Sputtering Condition for Reference Layer on Magnetic and Transport Properties of Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junction

著者 (5件)： Honjo Hiroaki (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Ikeda Shoji (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Sato Hideo (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Yasuhira Mitsuo (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Endoh Tetsuo (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 55  号： 7  ページ： ROMBUNNO.3400904.1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [Co/Pt]多層/Ru/[Co/Pt]多層/W/CoFeBから成る合成フェリ磁性参照層中のW挿入層W(Ar,Kr,Xe)の蒸着に対するスパッタリングガス種Ar,Kr,Xeの効果を,参照層を持つ磁気トンネル接合(MTJ)スタックの磁気特性とトンネル磁気抵抗比(TMR比)について調べた。すべての場合において,TMR比はW挿入層厚t_Wの増加とともに増加し,あるt_Wで最大値を示した。最大TMR比は全ての場合でほとんど同じであったが,最大TMR比を観測したt_W範囲はガス種に依存した。Arに対するT_W=0.2nm,Krに対してはt_W=0.2~0.4nm,Xeに対してはt_W=0.2~0.5nmであり,高TMR比を与えるt_Wマージンがガス種の原子数の増加と共に広くなることを示した。より大きなt_W領域でのW(Ar)に対するより低いTMR比は,CoFeBとCo/Pt多層サンドイッチWの間の強磁性結合の劣化に起因し,CoFeB層における磁化の結果となる。Co/Pt多層中のPt原子の相互混合はW(Ar)を含むMTJスタックで起こるが,W(Kr)とは相互混合せず,Pt相互拡散がW層を通る強磁性結合の劣化を引き起こすことを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気 ,  磁気的性質 ,  アルゴン ,  *スパッタリング ,  *異方性 ,  白金 ,  フェリ磁性 ,  多層 ,  相互拡散 ,  層厚
準シソーラス用語： 相互混合 ,  強磁性結合 ,  トンネル磁気抵抗 ,  *輸送特性 ,  *磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 垂直 ,  異方性 ,  磁気トンネル接合 ,  磁気 ,  輸送特性 ,  参照 ,  スパッタリング ,  役割