文献

J-GLOBAL ID：201902244493760045   整理番号：19A0796593

RECESSゲート構造を持つAlGaN/GaN高Electron移動度トランジスタの電気特性【JST・京大機械翻訳】

Electrical Characteristic of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors With Recess Gate Structure

著者 (4件)： Shrestha Niraj Man (Department of Electrical and Computer Engineering, Parallel and Scientific Computing Laboratory, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Li Yiming (Department of Electrical and Computer Engineering, Parallel and Scientific Computing Laboratory, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Suemitsu Tetsuya (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Samukawa Seiji (Center for mmWave Smart Radar System and Technologies, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 66  号： 4  ページ： 1694-1698  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己加熱モデルによる静電ポテンシャルと電子正孔濃度に対するドリフト-拡散方程式のセットを解くことにより,非凹形と凹形ゲートをもつAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)をシミュレーションした。この方法は,実験的に測定したデータを用いて,両方のHEMTデバイスに対して最初に較正し,シミュレーションの最良の精度を提供した。リセスゲートデバイスは,チャネルへの高いポテンシャル,寄生抵抗の増加,および表面粗さによる障壁における深い準位トラップに悩まされる。さらに,障壁の選択的薄化と寄生抵抗の増加はキャリア濃度の17%減少をもたらす。表面粗さと電子速度によるキャリア移動度劣化は,電流密度の高電場結果収縮により,しきい値電圧の正値へのかなりのシフトにより減少した。3nmリセスゲートでは相互コンダクタンスは著しく変化しないが,その値はより深いリセスで増加する。本論文では,表面粗さがリセスゲート構造における低電流密度の背後にある支配的な役割を持つ重要な問題であることを明らかにした。リセス技術の詳細な物理的理解は,調査した装置の性能劣化を最小化するのに役立つであろう。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面粗さ ,  相互コンダクタンス ,  *移動度 ,  チャネル ,  *トランジスタ ,  深い準位 ,  ドリフト ,  キャリア移動度 ,  電流密度 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  寄生抵抗 ,  静電ポテンシャル ,  自己加熱 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  移動度 ,  トランジスタ ,  電気特性