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J-GLOBAL ID：201902245199966157   整理番号：19A1414177

異なる外部損失を持つInAs/InGaAs量子ドットレーザにおける多状態レーザ発振に対する変調pドーピング準位の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of modulation p-doping level on multi-state lasing in InAs/InGaAs quantum dot lasers having different external loss

著者 (7件)： Korenev V. V. (Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation) ,  Savelyev A. V. (Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation) ,  Maximov M. V. (Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation) ,  Zubov F. I. (Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation) ,  Shernyakov Yu. M. (Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation) ,  Kulagina M. M. (Ioffe Institute, St Petersburg 194021, Russian Federation) ,  Zhukov A. E. (Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 13  ページ： 132103-132103-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/InGaAs量子ドット(QD)レーザにおける多重状態レーザ発振に及ぼす変調pドーピングレベルの影響を,種々の外部損失をもつ素子に対して実験的に研究した。短い空洞(高い外部損失)の場合,pドーピングレベルが成長するにつれて,QDの基底状態光学遷移に対応するレーザ発振パワー成分の増加があることを示した。しかし,長い空洞(小さい外部損失)の場合,高いドーパント濃度は出力パワーに対して反対の効果を持つ可能性がある。これらの観察に基づいて,レーザ形状の最適設計と最適ドーピングレベルを検討した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *レーザ ,  基底状態 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  多重化 ,  ドーパント ,  最適設計 ,  *ヒ化インジウム ,  *レーザ発振 ,  *ドーピング ,  *量子ドット ,  *量子ドットレーザ
準シソーラス用語： 光学遷移 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 損失 ,  InAs ,  InGaAs ,  量子ドットレーザ ,  レーザ発振 ,  変調 ,  ドーピング