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J-GLOBAL ID:201902245413428170   整理番号:19A0306462

低電力深層学習のためのMSBベース反転論理を用いた28nm FD-SOIデュアルポートSRAM【JST・京大機械翻訳】

28-nm FD-SOI Dual-Port SRAM with MSB-Based Inversion Logic for Low-Power Deep Learning
著者 (4件):
資料名:
巻: 2018  号: ICECS  ページ: 161-164  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,画像プロセッサのための新しいMSBベース(最重要ビットベース)反転論理を有する低電力および低エネルギー8TデュアルポートSRAMを提案した。提案したSRAMは実時間および低電力画像処理に適しており,データには統計的相関があり,データビットの再順序付けが利用されている。提案したMSBベースの反転論理は,大多数の論理において付加的なフラッグビットを除去する。入力データにおけるMSB数字は,データを逆にするか否かを判断する。したがって,8ビットの従来の大多数論理のための12.5%の面積オーバーヘッドは劇的に節約される。提案したSRAMの面積オーバーヘッドは,MSBベースのインバージョン論理に対して,単に0.6%である。提案した技術により,1組の画像が読み出されるとき,全エネルギーの14.76%が28nm64kb FD-SOI SRAMで節約できることを検証した。さらに,VGG-F畳込みニューラルネットワーク(CNN)における画像処理が考慮されるとき,節約因子は17.31%まで拡張される。そこでは,読出し操作における304.81fJ/サイクルが達成される。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 

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