文献
J-GLOBAL ID:201902245445643252   整理番号:19A1409958

スパッタされた新規前駆体のセレン化により調製した深さ勾配組成を持つCu_2SnSe_4薄膜太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Cu2ZnSnSe4 Thin Film Solar Cell with Depth Gradient Composition Prepared by Selenization of Sputtered Novel Precursors
著者 (6件):
資料名:
巻:号: 46  ページ: 40224-40234  発行年: 2017年11月22日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本研究では,高品質CZTSe薄膜の調製のための二段階プロセスで使用されるターゲット材料の合成のための新しい方法を提案した。Cu_xSeとZn_xSn_1-x合金の混合物から成るターゲット材料を合成し,高効率CZTSe薄膜太陽電池用の品質CZTSe前駆体層を提供した。CZTSe薄膜は,550°Cでセレン雰囲気下で30分間のセレン化過程を通して前駆体層をアニーリングすることによって得ることができる。新しい前駆体薄膜を用いて調製したCZTSe薄膜を調べ,X線回折,Raman散乱,光ルミネセンス分光法を用いて特性化した。Snの拡散が起こり,得られたCZTSe薄膜中にCTSe相とCu_xSe相を形成することが分かった。選択的領域電子回折透過型電子顕微鏡画像により,CZTSe薄膜の結晶性は単結晶であることが確認された。二次イオン質量分光測定により,CZTSe吸収体層を横切る二重勾配バンドギャップ分布を達成することに成功したことを確認した。前駆体スタックから成るCZTSe吸収層を持つCZTSe太陽電池は,0.28cm2のデバイス面積で,5.46%の高効率,37.47mA/cm2の高短絡電流(J_SC),0.31Vの開回路電圧(V_OC),47%の充填因子(F.F.)を示した。CZTSe太陽電池の光および暗電流-電圧(I-V)曲線の交差は観測されず,赤色光照射下では赤いキンクは観測されず,CZTSe吸収体層における低い欠陥濃度を示した。特性金属/CZTSe/金属漏れ電流モデルによるシャント漏れ電流を,温度依存I-V曲線により観測し,CZTSe吸収体層上のCdSバッファ層を通しての金属侵入の発見を導いた。空間電荷制限電流として知られているこの漏れ電流は,測定温度が上昇するにつれて大きくなり,200°Cの測定温度でダイオード電流を完全に圧倒した。これは,シャント漏れ電流を増加させ,CZTSe薄膜太陽電池の効率を低下させる金属の層間拡散に起因する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 

前のページに戻る