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J-GLOBAL ID：201902245733852267   整理番号：19A0491107

GaSb上のAlAsSbディジタル合金とランダム合金の光学的キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Optical Characterization of AlAsSb Digital Alloy and Random Alloy on GaSb

著者 (7件)： Juang Bor-Chau (Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  Liang Baolai (California NanoSystems Institute, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  Ren Dingkun (Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  Prout David L. (Department of Molecular and Medical Pharmacology, Crump Institute for Molecular Imaging, University of California, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  Chatziioannou Arion F. (Department of Molecular and Medical Pharmacology, Crump Institute for Molecular Imaging, University of California, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  Huffaker Diana L. (Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  Huffaker Diana L. (California NanoSystems Institute, Los Angeles, CA 90095, USA)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 10  ページ： 313  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-(As,Sb)合金は種々の先進的光電子デバイスのためのビルディングブロックであるが,それらの三元または四元材料の成長は合金化中のクラスタの自発的形成と相分離によって一般的に制限される。最近,分子線エピタクシーによるデジタル合金成長は,規則化合金化により提供される過剰な制御度のため,従来のランダム合金成長に優先して広く採用されてきた。本論文では,両技術を用いてGaSbに格子整合したAlAsSb合金の光学特性の比較研究を行った。ディジタル合金法により成長させた試料は,ランダム合金法よりも強い光ルミネセンス強度,狭いピーク線幅,および大きなキャリア活性化エネルギーを示し,低密度の非放射再結合中心をもつ改善された光学品質を示した。さらに,比較的長いキャリア寿命がデジタル合金試料から観察され,光ルミネセンス研究から得られた結果と一致した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： クラスタ ,  *キャラクタリゼーション ,  光学的性質 ,  MBE成長 ,  合金化 ,  *合金 ,  活性化エネルギー ,  光ルミネセンス ,  *アンチモン化ガリウム ,  相分離 ,  キャリア寿命 ,  格子整合 ,  三元合金
準シソーラス用語： 非放射再結合 ,  ビルディングブロック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： ディジタル合金 ,  ランダム合金 ,  エピタキシー ,  分子ビームエピタクシー ,  三元合金 ,  アンチモン化アルミニウム ,  アンチモン化ガリウム ,  光ルミネセンス

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (28件)：

• Dutta, P.S.; Bhat, H.L.; Kumar, V. The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material. J. Appl. Phys. 1997, 81, 5821-5870.
• Kroemer, H. The 6.1 Å family (InAs, GaSb, AlSb) and its heterostructures: A selective review. Phys. E Low-Dimens. Syst. Nanostruct. 2004, 20, 196-203.
• Soibel, A.; Hill, C.J.; Keo, S.A.; Hoglund, L.; Rosenberg, R.; Kowalczyk, R.; Khoshakhlagh, A.; Fisher, A.; Ting, D.Z.Y.; Gunapala, S.D. Room temperature performance of mid-wavelength infrared InAsSb nBn detectors. Appl. Phys. Lett. 2014, 105, 23512.
• Krier, A. Mid-Infrared Semiconductor Optoelectronics; Springer Series in Optical Sciences; Springer: London, UK, 2012; ISBN 9781849965613.
• Zhao, Z.; Laghumavarapu, R.B.; Simmonds, P.J.; Ji, H.; Liang, B.; Huffaker, D.L. Photoluminescence study of the effect of strain compensation on InAs/AlAsSb quantum dots. J. Cryst. Growth 2015, 425, 312-315.

タイトルに関連する用語 (5件)： GaSb ,  ディジタル ,  合金 ,  光学 ,  キャラクタリゼーション