文献

J-GLOBAL ID：201902245872176244   整理番号：19A1918041

CuPcとF_16CuPcの有機二重層電界効果トランジスタにおける両極性チャネル形成過程のその場実時間測定【JST・京大機械翻訳】

In Situ Real-Time Measurements for Ambipolar Channel Formation Processes in Organic Double-Layer Field-Effect Transistors of CuPc and F₁₆CuPc

著者 (3件)： Eguchi Keitaro (Department of Chemistry and Integrated Research Consortium on Chemical Science (IRCCS), Nagoya University, Japan) ,  Matsushita Michio M. (Department of Chemistry and Integrated Research Consortium on Chemical Science (IRCCS), Nagoya University, Japan) ,  Awaga Kunio (Department of Chemistry and Integrated Research Consortium on Chemical Science (IRCCS), Nagoya University, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 122  号： 45  ページ： 26054-26060  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)における両極性特性を得るために,分子ドナー-アクセプタのヘテロ構造を利用した。本研究では,銅フタロシアニン(CuPc)とそのフッ素化類似体(F_16CuPc)のドナー-アクセプタ対の二重層薄膜の表面形態を調べた。次に,高真空条件下で底層上の最上層の段階的な成長を伴う二層CuPc/F_16CuPcおよびF_16CuPc/CuPc FETにおける両極性輸送チャネルの形成過程に関するその場実時間測定を行った。CuPcがF_16CuPc底層上に蒸着されたとき,n型移動度はF_16CuPc層への電子キャリア注入のため直ちに強化された。CuPc最上層成長の場合,上部層が2.4MLより厚い場合,両極性が明確に見られた。最後に,CuPc/F_16CuPc FETは,p型およびn型移動度がそれぞれ2.6×10-2および1.4×10-2cm2/Vsの良くバランスした両極性輸送を示した。対照的に,F_16CuPcをCuPc底層上に蒸着したとき,CuPcのp型輸送は界面でのトラップ状態の形成のために抑制された。F_16CuPcのさらなる堆積はCuPcにおけるp型輸送の回復をもたらし,F_16CuPcが3.2MLより厚いとき,それぞれ3.2×10-3および3.7×10-3cm2/Vsのpおよびn型移動度を有する両極性輸送を生じた。これはCuPcとF_16CuPcの間のより滑らかな界面がヘテロ構造OFETにおいてより高い移動度を生成することを示唆した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フッ素化 ,  界面 ,  アクセプタ ,  *チャネル ,  *FET【トランジスタ】 ,  ドナー-アクセプタ対 ,  薄膜 ,  ドナー ,  移動度 ,  キャリア注入
準シソーラス用語： 二層 ,  ヘテロ構造 ,  有機FET ,  *両極性 ,  *二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： CuPc ,  二重層 ,  電界効果トランジスタ ,  両極性 ,  チャネル ,  形成過程 ,  実時間測定