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J-GLOBAL ID：201902246065276136   整理番号：19A0660340

二次元材料ベースデバイスのためのMOS_2上のサブ10nm可変同調ハイブリッド誘電工学【JST・京大機械翻訳】

Sub-10 nm Tunable Hybrid Dielectric Engineering on MoS₂ for Two-Dimensional Material-Based Devices

著者 (10件)： Cheng Lanxia (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Texas, United States) ,  Lee Jaebeom (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Texas, United States) ,  Zhu Hui (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Texas, United States) ,  Ravichandran Arul Vigneswar (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Texas, United States) ,  Wang Qingxiao (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Texas, United States) ,  Lucero Antonio T. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Texas, United States) ,  Kim Moon J. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Texas, United States) ,  Wallace Robert M. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Texas, United States) ,  Colombo Luigi (Texas Instruments, Texas, United States) ,  Kim Jiyoung (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Texas, United States)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 10  ページ： 10243-10252  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能2D材料ベースのナノエレクトロニクスの実現の成功は,ゲート絶縁体としての高品質誘電体膜の集積を必要とする。本研究では,MoS_2上の有機及び無機ハイブリッド誘電体の統合を調べ,これらのハイブリッド膜の化学的及び電気的性質を研究した。著者らの原子間力顕微鏡,X線光電子分光法(XPS),Raman,および光ルミネセンスの結果は,優れた膜均一性と2.5nmまでの厚さのスケーラビリティから,オクテニルトリクロロシラン(OTS)とAl_2O_3ハイブリッド膜の分子層堆積がMoS_2表面の化学的および構造的完全性を保持することを示した。XPSバンドアラインメント分析と電気的特性化により,誘電体膜中の有機層の包含を通して,バンドギャップと誘電定数は,それぞれ~7.00から6.09eVと~9.0から4.5に調整できることを明らかにした。さらに,ハイブリッド膜は,約7.8MV/cmの高い絶縁破壊電界,1MV/cmで約1×10~6A/cm2の低い漏れ電流密度,~50mVの小さなヒステリシス,~79mV/decのトップゲート閾値電圧スイングを含む有望な誘電特性を示した。著者らの実験的知見は,2D材料ベースのフレキシブルエレクトロニクス応用のために,遷移金属ジカルコゲニド上に拡張可能なハイブリッドゲート誘電体を作製する容易な方法を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  X線光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  バンドギャップ ,  ヒステリシス ,  誘電体 ,  電場 ,  誘電率 ,  誘電性 ,  *二次元 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： フレキシブルエレクトロニクス ,  閾値電圧 ,  ハイブリッド膜 ,  ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： MLD ,  ハイブリッド誘電体 ,  MOS_2 FET ,  Raman ,  光ルミネセンス ,  誘電スケーリング

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二次元材料 ,  サブ ,  可変同調 ,  工学