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J-GLOBAL ID：201902246109401068   整理番号：19A0511100

Siベース光検出器のための深溝完全吸収体によるホットElectron抽出のブースティング【JST・京大機械翻訳】

Boosting Hot-Electron Extraction Through Deep Groove Perfect Absorber for Si-Based Photodetector

著者 (7件)： Yang Meng (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Ren Fang-Fang (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Xiao Long (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Pu Lin (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Wang Junzhuan (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Li Yun (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Shi Yi (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 29  号： 21  ページ： 1884-1887  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si系高温電子光検出器用の深溝薄膜能動アンテナを提案した。シミュレーション結果は,入射光が空洞共振モードで溝内に強く閉じ込められたとき,ほぼ完全な吸収が達成されることを示した。一方,生成されたホットエレクトロンは,設計された多重Schottky障壁,特に溝の底部領域での発光により効果的に抽出されるため,優れた内部量子効率が期待される。特定の吸収空間分布に基づく厳密な計算法を用いることにより,溝深さと金属厚さを調整することにより,より高い光応答性を得ることができ,より多くのホットエレクトロンが溝の底部領域で生成されることが分かった。最適化された素子は1550nmで約12mA/Wのバイアスされない応答性を示し,これは赤外Siベース光検出の有望な候補であることを示唆している。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸収体 ,  薄膜 ,  応答特性 ,  ホットエレクトロン ,  空間分布 ,  赤外線 ,  *ケイ素 ,  シミュレーション ,  *光検出器 ,  *光検出 ,  多重化 ,  最適化
準シソーラス用語： 光応答 ,  *ブースティング ,  Electron , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  光検出器 ,  深溝 ,  吸収体 ,  ブースティング