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J-GLOBAL ID：201902246475020313   整理番号：19A2615988

一段階プラズマ増強原子層堆積による高品質GaO_xN_y膜の組成と特性制御成長【JST・京大機械翻訳】

Composition and Properties Control Growth of High-Quality GaO_xN_y Film by One-Step Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition

著者 (10件)： Ma Hong-Ping (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, School of Microelectronics, Fudan University, China) ,  Li Xiao-Xi (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, School of Microelectronics, Fudan University, China) ,  Yang Jia-He (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, School of Microelectronics, Fudan University, China) ,  Cheng Peihong (School of Physical Science and Technology, Shanghai Tech University, China) ,  Huang Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, School of Microelectronics, Fudan University, China) ,  Zhu Jingtao (Institute of Precision Optical Engineering, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, China) ,  Jen Tien-Chien (University of Johannesburg, South Africa) ,  Guo Qixin (Department of Electrical and Electronic Engineering, Synchrotron Light Application Center, Saga University, Japan) ,  Lu Hong-Liang (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, School of Microelectronics, Fudan University, China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, School of Microelectronics, Fudan University, China)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 31  号： 18  ページ： 7405-7416  発行年： 2019年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,プラズマ増強原子層蒸着(ALD)により高品質のGaO_xN_y膜を堆積するための新しい方法を提供した。均一な窒素と酸素組成を得るために,O_2とNH_3を同時にALDチャンバーに導いた。GaO_xN_y膜の成長速度,組成,および光学特性は,O_2:NH_3比を調整することによって正確に制御できることがわかった。エネルギーバンドギャップはO_2比の増加と共に3.46から4.78eVに良く同調した。X線光電子スペクトルの詳細解析は,調製したGaO_xN_y膜におけるGa-O,Ga-N,およびN-Ga-O結合の存在を証明した。GaO_xN_y膜の表面,界面,および構造は,透過型電子顕微鏡特性化を通して,GaNおよびGa_2O_3膜と異なった。次に,これらの知見に基づいて可能な成長機構を実証した。本研究で堆積したすべてのGaO_xN_y膜のエネルギーバンド構造を価電子帯スペクトルの詳細な解析から得た。重要なことに,GaO_xN_yはGaNとGa_2O_3の両方より低い漏れ電流と高い絶縁破壊電圧を示すことが分かった。これらの知見は基礎を提供し,この材料が光検出,光電気化学水分解,および高電圧デバイスにおけるブリリアントな応用の見通しを提供することを証明した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸素 ,  窒素 ,  *プラズマ ,  成長速度 ,  窒化ガリウム ,  界面 ,  スペクトル ,  バンドギャップ ,  キャラクタリゼーション ,  漏れ電流 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  エネルギー帯 ,  チャンバ ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 段階 ,  プラズマ ,  増強 ,  原子層堆積 ,  高品質 ,  組成 ,  成長