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J-GLOBAL ID：201902246600206572   整理番号：19A1714537

二次元[数式:原文を参照]における大きな異常Hall伝導率を持つ歪誘起室温強磁性半導体【JST・京大機械翻訳】

Strain-Induced Room-Temperature Ferromagnetic Semiconductors with Large Anomalous Hall Conductivity in Two-Dimensional [Formula : see text]

著者 (7件)： Dong Xue-Juan (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, 100049 Beijing, China) ,  You Jing-Yang (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, 100049 Beijing, China) ,  Gu Bo (Kavli Institute for Theoretical Sciences, and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, 100190 Beijing, China) ,  Gu Bo (Physical Science Laboratory, Huairou National Comprehensive Science Center, 101400 Beijing, China) ,  Su Gang (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, 100049 Beijing, China) ,  Su Gang (Kavli Institute for Theoretical Sciences, and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, 100190 Beijing, China) ,  Su Gang (Physical Science Laboratory, Huairou National Comprehensive Science Center, 101400 Beijing, China)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 12  号： 1  ページ： 014020  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論計算により,安定な二次元(2D)強磁性半導体,[数式:原文を参照],を予測した。ここで,Curie温度[数式:原文を参照]は,数%の歪を適用することにより,室温を超えて劇的に増加することができた。さらに,2D[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]中の異常Hall伝導率は強磁性金属[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]中のそれに匹敵すると予測され,希釈磁性半導体[数式:原文を参照]([数式:原文を参照],[数式:原文を参照])中のそれより一桁大きい。超交換相互作用に基づいて,歪によって引き起こされた2D[数式:原文を参照]の増加した[数式:原文を参照]は,[数式:原文を参照]の[数式:原文を参照]軌道と[数式:原文を参照]の[数式:原文を参照]軌道の間のエネルギー差の減少によって理解できる。著者らの発見は,歪によって室温強磁性半導体を得るための微視的機構を強調する。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超交換相互作用 ,  Curie温度 ,  *半導体 ,  *二次元 ,  エネルギーギャップ ,  *強磁性半導体
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  強磁性金属 ,  密度汎関数計算 ,  *室温強磁性 ,  *Hall導電率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 数式 ,  参照 ,  Hall伝導率 ,  歪 ,  誘起 ,  室温 ,  強磁性半導体