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J-GLOBAL ID：201902246734519008   整理番号：19A2695751

窒化チタンとTaNの下層特性の研究とW成長に及ぼすそれらの影響【JST・京大機械翻訳】

Study of TiN and TaN Underlayer Properties and Their Influence on W Growth

著者 (11件)： Pancharatnam S. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Rodriguez G. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Wang W. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Karve G. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Wynne J. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Mendoza B. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  DeVries S. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Pujari R. N. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Breton M. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Carr A. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  White L. (IBM Research, Albany, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 32  号： 4  ページ： 374-380  発行年： 2019年 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タングステン(W)膜の成長と抵抗の変化を異なる窒化チタン(窒化チタン)と窒化タンタル(TaN)下層膜を用いて調べた。これらの膜上のWの成長に影響する表面形態と結晶粒サイズの違いを得るために,表面特性化法により下層を解析した。窒化チタン堆積に用いた異なる前駆体とプロセスはW成長と膜特性に影響した。Wプロセス資格の一部としての窒化チタン抵抗の変化を監視することは重要である。これにより,Wプロセスの安定性を維持し,偽の失敗によりファブダウンタイムを低減することが可能になった。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面性状 ,  前駆体 ,  結晶粒径 ,  *下層 ,  停止時間
準シソーラス用語： 表面形態 ,  窒化タンタル ,  *窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化チタン ,  下層 ,  研究 ,  成長