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J-GLOBAL ID：201902247028207396   整理番号：19A1408289

MOS_2厚さ変調ITO/MOS_2/p-Siヘテロ接合で観測した大きな横方向光起電力【JST・京大機械翻訳】

Large Lateral Photovoltage Observed in MoS₂ Thickness-Modulated ITO/MoS₂/p-Si Heterojunctions

著者 (7件)： Qiao Shuang (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, P. R. China) ,  Zhang Bin (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, P. R. China) ,  Feng Kaiyu (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, P. R. China) ,  Cong Ridong (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, P. R. China) ,  Yu Wei (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, P. R. China) ,  Fu Guangsheng (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, P. R. China) ,  Wang Shufang (Hebei Key Laboratory of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, P. R. China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 21  ページ： 18377-18387  発行年： 2017年05月31日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 典型的な二次元(2D)材料としての二硫化モリブデン(MoS_2)は,その魅力的な光学的および電気的性質のために,近年大きな注目を集めている。しかし,MoS_2の応用は,主に光起電力デバイス,電界効果トランジスタ,光検出器,およびガスセンサにあった。ここでは,MoS_2が,それにおける横方向光起電力効果(LPE)に基づく位置敏感検出器(PSD)におけるもう一つの重要な応用であることを示した。ITO/MoS_2(3,5,7,9,10,20,50,100nm)/p-Siヘテロ接合をMoS_2の垂直に立ったナノシート構造で首尾よく調製した。比較的厚いMoS_2膜の特別な構造と強い光吸収のために,ITO/MoS_2/p-Siヘテロ接合は異常な厚さ依存性のLを示し,それはMoS_2のn型からp型への変換に起因する。さらに,ITO/MoS_2/p-Si構造のLPEは,可視から近赤外への広いスペクトル応答,特に赤外領域における顕著な改善により,フォワード増強内蔵場のために大幅に改善され,赤外PSDにおける大きな潜在的応用を示した。本研究は,ITO/MoS_2/p-Siヘテロ接合が,LPEベースのセンサにおいて大きな可能性を示すだけでなく,強い光吸収と適切なバンドギャップの他に,MoS_2ベースの光電素子におけるMoS_2のタイプ変換の重要性を明らかにした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光起電素子 ,  光検出器 ,  *ヘテロ接合 ,  近赤外線 ,  光吸収 ,  ナノシート ,  二次元 ,  ガスセンサ ,  FET【トランジスタ】 ,  バンドギャップ ,  センサ ,  *光起電力 ,  赤外線
準シソーラス用語： 厚み依存性 ,  二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ITO/MOS_2/p-Siヘテロ接合 ,  Schottky障壁 ,  型変換 ,  ブロードバンド ,  位置有感検出器

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 厚さ ,  変調 ,  ITO ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  観測 ,  横方向 ,  光起電力