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J-GLOBAL ID：201902247196636525   整理番号：19A0511130

狭線幅酸化物閉込め不均一集積Si/III-V半導体レーザ【JST・京大機械翻訳】

Narrow-Linewidth Oxide-Confined Heterogeneously Integrated Si/III-V Semiconductor Lasers

著者 (7件)： Wang Huolei (Department of Applied Physics and Materials Science, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA) ,  Kim Dongwan (Department of Applied Physics and Materials Science, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA) ,  Harfouche Mark (Department of Electrical Engineering, California Institute of Technology Pasadena, CA, USA) ,  Santis Christos T. (Department of Applied Physics and Materials Science, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA) ,  Satyan Naresh (Telaris Inc, Santa Monica, CA, USA) ,  Rakuljic George (Telaris Inc, Santa Monica, CA, USA) ,  Yariv Amnon (Department of Applied Physics and Materials Science and the Department of Electrical Engineering, California Institute of Technology, Pasadena, California, USA)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 29  号： 24  ページ： 2199-2202  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V構造における電流閉込めが一般的なイオン注入技術よりもむしろ酸化物分離によって得られる狭い線幅の不均一に集積したSi/III-Vレーザを実証した。この方法は,III-V表面不動態化と同様に効果的な電気絶縁を提供し,高効率ダイオード注入レーザ性能のための経路を提供する。また,この方法は,潜在的に高温のアニーリング過程との互換性を増加させる。ここで示したレーザは,60mAの低い閾値電流と20°Cで3mW以上の単一ファセット出力を持つ。1574.8nmでの28kHzの線幅を200mA(I=3.3×I_th)の電流で得た。単一モード動作を,55dB以上のサイドモード抑制比で達成した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 互換性 ,  *レーザ ,  イオン注入 ,  ファセット ,  ダイオード ,  *酸化物 ,  注入レーザ ,  単一モード ,  *半導体レーザ ,  高温 ,  焼なまし ,  電流
準シソーラス用語： 閾値電流 ,  高効率 ,  *線幅 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 線幅 ,  酸化物 ,  閉込め ,  不均一 ,  集積 ,  Si ,  III-V半導体 ,  レーザ