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J-GLOBAL ID：201902247232642609   整理番号：19A0909293

p-クロロ-α-メチルスチレンを含む三元共重合ポジ型電子ビームレジストの曝露特性【JST・京大機械翻訳】

Exposure characteristics of ternary copolymerization positive tone electron beam resist containing p-chloro-α-methylstyrene

著者 (6件)： Tamaru Kenta (Yamaguchi Univ. (Japan)) ,  Ochiai Shunsuke (Yamaguchi Univ. (Japan)) ,  Kishimura Yukiko (Yamaguchi Univ. (Japan)) ,  Asada Hironori (Yamaguchi Univ. (Japan)) ,  Hoshino Ryoichi (Fine Material System Inc. (Japan)) ,  Iwakuma Minako (National Institute of Technology, Miyakonojo College (Japan))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10807  ページ： 108070O-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-クロロ-α-メチルスチレン(PCMS)はα-メチルスチレン(MS)のフェニル基に塩素原子を導入すると化学構造を持つ。本研究では,従来のACM-MSレジストと同じ分解能を維持しながら感度を向上させるために,3元共重合体を合成し,その組成比は53:16:31,平均分子量(Mw)は370Kであった。組成比46:54のACM-MSレジストを290KのMwで合成し,露光特性を比較した。最初に,エステル溶媒に対する電子ビーム曝露なしのACM-PCMS-MSレジストの溶解度を調べた。アミル溶媒に対するACM-PCMS-MSレジストの溶解速度は,以前に報告されたMw=30kを持つ49:51の組成比を持つACM-PCMSレジストと比較して著しく低く,これはより大きな分子量の影響も含んでいる。50kVの加速電圧を持つ電子ビーム書込みシステムを用いて,感度曲線を作成し,20/20nm(設計値)までの線と空間(L/S)パターンを形成した。20/20nm L/SパターンはACM-PCMS-MSレジストとACM-MSレジストで成功裏に形成された。ACM-PCMS-MSレジストとACMMSレジストの間の有意差は,L/Sパターン形状において観察されなかった。パターン作製に必要な露光線量は,ACM-MSレジストに比べて全てのL/Sパターンで大きく,それらの感度曲線を反映している。ACM-PCMSMSレジストのドライエッチング抵抗も示した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドライエッチング ,  エステル ,  *電子線レジスト ,  *電子ビーム ,  溶解度 ,  光学的性質 ,  *レジスト ,  *共重合 ,  放射線量 ,  分子量 ,  分解能 ,  露光 ,  露 ,  溶解速度
準シソーラス用語： 化学構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： p-クロロ-α-メチルスチレン ,  共重合 ,  電子ビームレジスト ,  曝露