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J-GLOBAL ID：201902247259667800   整理番号：19A1416450

アニーリング中の高窒素ドープ4H-SiC中に形成された二重層Shockley積層欠陥の構造解析【JST・京大機械翻訳】

Structural analysis of double-layer Shockley stacking faults formed in heavily-nitrogen-doped 4H-SiC during annealing

著者 (11件)： Tokuda Y. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Yamashita T. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Kamata I. (Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Naijo T. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Miyazawa T. (Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Hayashi S. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Hoshino N. (Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Kato T. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Okumura H. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Kimoto T. (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Tsuchida H. (Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 4  ページ： 045707-045707-13  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アニーリング中に多量に窒素ドープした4H-SiC中に形成された二重Shockley積層欠陥(DSFs)の構造と膨張挙動を調べた。試料として調製した重ドープエピ層を引き続いてアニールした。異なる形状と転位コントラストを示す種々の型のDSFsを,光ルミネセンスとシンクロトロンX線トポグラフィー画像で見出した。DSFsを形成するあらゆる可能な積層順序を考慮して,種々のタイプのDSFsの構造を,平面視野透過型電子顕微鏡(TEM)と断面高角度環状暗視野走査TEMによる観察から決定した。DSFを二つの部分転位(PD)に分割し,それらのBurgersベクトルは同一であるが,二つのPDの距離はそれらのコア構造(30°Si,30°Cまたは90°Cコア)に依存することを見出した。また,異なる窒素濃度を持つエピ層におけるDSF膨張に対するシンクロトロンX線トポグラフィー画像と移動性PDにおける二つのPDから成る転位に対するコントラスト則についても議論した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子顕微鏡観察 ,  *ドーピング ,  走査 ,  透過型電子顕微鏡 ,  画像 ,  *構造解析 ,  シンクロトロン ,  *焼なまし ,  X線トポグラフィー ,  *積層欠陥 ,  コントラスト ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 暗視野 ,  エピタキシャル層 ,  *二重層 ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： アニーリング ,  窒素ドープ ,  4H-SiC ,  二重層 ,  積層欠陥 ,  構造解析