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J-GLOBAL ID：201902247763115086   整理番号：19A1785051

グラフェン/MTe(M=Al,B)ヘテロ構造の電子構造に対する面外歪と電場の効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of out-of-plane strains and electric fields on the electronic structures of graphene/MTe (M = Al, B) heterostructures

著者 (5件)： Zhang Dingbo (School of Physical Science and Technology, Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China. [e-mail]) ,  Hu Yue ,  Zhong Hongxia ,  Yuan Shengjun ,  Liu Chang
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 11  号： 29  ページ： 13800-13806  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンと二次元(2D)半導体の間の接触は,適用面外歪,電場などによるそれらの調整可能なSchottky障壁高さ(SBH)のため広く研究されてきた。ここでは,グラフェン/MTe(M=Al,B)ヘテロ構造の電子構造に及ぼす面外歪(引張または圧縮歪)と電場の影響を研究した。計算結果は,p型Schottky障壁が,グラフェン/ALTEおよびグラフェン/BTE界面において,それぞれ,0.72および0.49eVで形成されることを示した。グラフェンとMTe間の層間距離(引張歪)の増加はp型からn型Schottky接触への遷移を誘起する。一方,層間距離(圧縮歪)の減少は,グラフェン/MTeを半導体に変換することができ,それは,2つの炭素副格子を不等価にし,バンドギャップを誘導する大きな圧縮歪を持つグラフェン/MTeに起因する。さらに,印加電場は,接触形成(SchottkyまたはOhm接触)およびグラフェン/MTeヘテロ構造におけるグラフェンのドーピングを効果的に調節することができた。著者らの研究は,グラフェン/MTeヘテロ構造の電子特性を調整するための2つの容易な方法を示唆し,グラフェン/MTeヘテロ構造ベースの電子デバイスの可能性を提供する。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  二次元 ,  引張 ,  バンドギャップ ,  *グラフェン ,  Schottky障壁 ,  *電子構造 ,  *電場 ,  炭素 ,  半導体 ,  界面 ,  副格子
準シソーラス用語： 引張歪 ,  圧縮歪 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  電子構造 ,  電場