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J-GLOBAL ID:201902248080383365   整理番号:19A1798875

マクロステップを持つAlNテンプレート上に成長させた265および285nm深紫外LED用に設計したAlxGa1-xN多重量子井戸の比較

Comparison of Alx Ga1-x N multiple quantum wells designed for 265 and 285 nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates having macrosteps
著者 (10件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 064009.1-064009.6  発行年: 2019年06月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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マクロステップを持つAlNテンプレート上に成長させた265nmと285nmの深紫外LEDをターゲットとする,AlGaN多重量子井戸(MQW)を比較した。285nm MQWの陰極線ルミネセンス画像において,290~296nmの波長と286~288nmの波長をもつテラス上に,マクロステップのエッジラインに沿って高強度ゾーンが観測された。貫通転位に関連する暗いスポットは,285nmのMQW全体で見られた。265nmに対して,高強度ゾーンはエッジラインに沿って制限され,暗スポットは低コントラストを示し,これは点欠陥による無放射再結合中心に起因すると思われる。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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発光素子 

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