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J-GLOBAL ID：201902248118851527   整理番号：19A1771084

740~770nmにおける直接放出によるAlGaAs/AlGaInP VECsels【JST・京大機械翻訳】

AlGaAs/AlGaInP VECSELs With Direct Emission at 740-770 nm

著者 (7件)： Nechay Kostiantyn (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Tampere University, Tampere, Finland) ,  Kahle Hermann (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Tampere University, Tampere, Finland) ,  Penttinen Jussi-Pekka (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Tampere University, Tampere, Finland) ,  Rajala Patrik (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Tampere University, Tampere, Finland) ,  Tukiainen Antti (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Tampere University, Tampere, Finland) ,  Ranta Sanna (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Tampere University, Tampere, Finland) ,  Guina Mircea (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Tampere University, Tampere, Finland)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 31  号： 15  ページ： 1245-1248  発行年： 2019年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 750nm付近に発光する3.25W出力パワーをもつ光ポンプ垂直外部共振器面発光レーザ(OP-VECSE)を実証した。利得構造はAlGaAs量子井戸(QW)と障壁,およびAlGaInPクラッドを組み込んだ。発光波長は740から770nmに調整できた。開発は,到達困難な波長範囲での高輝度レーザの必要性を扱う。実証した構造は偏光に関連した特異性を示し,モード競合によるポンプパワーの増加により偏光スイッチングを引き起こす。活性領域内部の複屈折の存在は,歪んだビームプロファイルを引き起こすAlGaInPクラッド内の既知の長距離秩序化に起因する。レーザの特徴に対するこの影響はVECSELsでは報告されていない。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  レーザ ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  利得 ,  発光 ,  偏光 ,  量子井戸 ,  モード競合 ,  波長 ,  面発光レーザ ,  複屈折
準シソーラス用語： 特異性 ,  クラッド層 ,  *リン化アルミニウムガリウムインジウム ,  外部共振器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 放出 ,  AlGaAs ,  AlGaInP