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J-GLOBAL ID:201902248410452879   整理番号:19A1413717

分子ビームエピタクシー成長β-Ga_2O_3金属半導体金属太陽ブラインド深紫外検出器における高応答性【JST・京大機械翻訳】

High responsivity in molecular beam epitaxy grown β-Ga2O3 metal semiconductor metal solar blind deep-UV photodetector
著者 (7件):
資料名:
巻: 110  号: 22  ページ: 221107-221107-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本報告では,MBE成長エピタキシャルβ-Ga_2O_3ベース太陽ブラインド金属-semiconductor-金属(MSM)光検出器(PD)における高いスペクトル応答性(SR)を実証した。c面サファイア基板上にプラズマ支援MBEを用いて(-201)配向β-Ga_2O_3薄膜を成長させた。交差指形構造のNi/Au接触で作製したMSM素子は,UVが可視除去率>10~5で,4Vのバイアスで236~240nmでピークSR>1.5A/Wを示すことが分かった。素子は20Vで非常に低い暗電流<10nAを示し,光から暗電流比>10~3の鋭い過渡現象から明らかなように持続的な光伝導(PPC)を示さなかった。これらの結果は,MBE成長β-Ga_2O_3MSM太陽ブラインド検出器に対する最先端性能を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光伝導,光起電力  ,  電気光学効果,磁気光学効果 

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