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J-GLOBAL ID：201902248416983759   整理番号：19A1887495

熱アニーリングによるCsPbBr_3ナノインクから焼結CsPbBr_3-CsPb_2Br_5膜へ:オプトエレクトロニクス特性への影響【JST・京大機械翻訳】

From CsPbBr₃ Nano-Inks to Sintered CsPbBr₃-CsPb₂Br₅ Films via Thermal Annealing: Implications on Optoelectronic Properties

著者 (12件)： Palazon Francisco (Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia) ,  Dogan Sedat (Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia) ,  Marras Sergio (Materials Characterization Facility, Istituto Italiano di Tecnologia) ,  Locardi Federico (Dipartimento di Chimica e Chimica Industriale, Universita degli Studi di Genova, Italy) ,  Nelli Ilaria (Dipartimento di Chimica e Chimica Industriale, Universita degli Studi di Genova, Italy) ,  Nelli Ilaria (Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia) ,  Rastogi Prachi (Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia) ,  Rastogi Prachi (Dipartimento di Chimica e Chimica Industriale, Universita degli Studi di Genova, Italy) ,  Ferretti Maurizio (Dipartimento di Chimica e Chimica Industriale, Universita degli Studi di Genova, Italy) ,  Prato Mirko (Materials Characterization Facility, Istituto Italiano di Tecnologia) ,  Krahne Roman (Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia) ,  Manna Liberato (Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 21  ページ： 11956-11961  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短い分子配位子で不動態化し,基板上に堆積したCsPbBr_3ナノ結晶を不活性雰囲気中で室温から400°Cまでアニールした。化学的,構造的および形態的変換を,異なる技術によりその場およびex situでモニターし,一方,膜の光電子特性も評価した。100°Cでのアニーリングは,NCの部分焼結と残留溶媒蒸発の結果として,光電流と光応答の1桁の増加をもたらした。150°Cを超えると,元の斜方晶系NCは,弱く結合したプロピオン酸配位子の脱着により,正方晶CsPb_2Br_5結晶に部分的に変換された。光応答は表面トラップ状態の形成の結果として遅くなったが,光電流は300°Cまで適度に増加した。最終的に,350°Cを超えるアニーリングは強く結合したブチルアミン配位子を除去し,不動態化ブチルアミンのストリッピングによって誘起された多数の欠陥による光電流の損失を伴って,元の斜方晶相への転移を逆転させた。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶 ,  不動態化 ,  正方晶系 ,  蒸発 ,  *焼なまし ,  斜方晶系 ,  光電流 ,  *オプトエレクトロニクス ,  ナノ結晶 ,  *焼結 ,  脂肪族アミン ,  第一アミン ,  脂肪酸
準シソーラス用語： 光応答 ,  *ナノインク ,  *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

物質索引 (2件)： ブチルアミン ,  プロピオン酸

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱アニーリング ,  ナノインク ,  焼結 ,  オプトエレクトロニクス