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J-GLOBAL ID:201902248740304833   整理番号:19A1414997

局所歪エンジニアリングによるモノリシック集積InGaN系発光ダイオードからの色混合【JST・京大機械翻訳】

Color mixing from monolithically integrated InGaN-based light-emitting diodes by local strain engineering
著者 (4件):
資料名:
巻: 111  号:ページ: 041101-041101-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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可視スペクトルを横切る付加的色混合を,赤,緑,青サブピクセルから成るInGaNベース発光ダイオード(LED)画素から,局所歪工学によりモノリシックに集積し,可能にすることを実証した。典型的なLEDエピタキシャル積層から成る有機金属化学蒸着成長試料上にトップダウン法を用いて素子を作製した。3つの色サブピクセルを単一リソグラフィー段階で定義した。このデバイスを,非冷却条件下での電気的性質と発光スペクトルについて特性化した。これは,実際の応用に望ましい。色混合をパルス幅変調により制御し,色制御の程度も特性化した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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発光素子  ,  半導体レーザ 

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