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J-GLOBAL ID:201902248879567511   整理番号:19A1413816

イオン液体/ポリ(イオン液体)ブレンドイオンゲルでゲートした高性能フォトリソグラフィーパターン化高分子薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High performance photolithographically-patterned polymer thin-film transistors gated with an ionic liquid/poly(ionic liquid) blend ion gel
著者 (4件):
資料名:
巻: 110  号: 23  ページ: 233302-233302-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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イオン液体と重合イオン液体の混合物で作られたイオンゲル電解質でゲートされた高分子薄膜トランジスタの作製を実証した。イオンゲルは高い安定性とイオン伝導性を示し,溶液からの簡単なドロップキャスティングによる容易な処理と組み合わせた。高ヒステリシス,高オフ電流,遅いスイッチングのような寄生効果を避けるために,トランジスタチャネルを正確に定義する面積上の高分子半導体の高分解能直交パターン形成を可能にするためにフッ素化フォトレジストを用いた。得られた素子は,10~6のオン/オフ比,低ヒステリシス,および3mSの非常に大きな相互コンダクタンスをもつ優れた特性を示した。この高い相互コンダクタンス値は,主に高分子膜を透過するイオンの結果であり,半導体の全体積をドーピングし,約200μFcm-2の単位面積当たりの実効キャパシタンスをもたらし,イオンゲルの二重層キャパシタンスよりも一桁高いことを示した。これにより,-1Vのゲートバイアスで1mA以上のチャネル電流が得られた。また,素子の動的性能を研究し,20msのスイッチング時間を得た。これは,イオンゲルとソースとドレイン接触の間の重なり容量により制限される。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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トランジスタ 

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