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J-GLOBAL ID：201902249785651801   整理番号：19A2165551

シリコン結晶ウエハのエッチナノ構造からの反射損失の最小化【JST・京大機械翻訳】

Minimization of Reflection-Loss from Etched Nano-structures of Silicon Crystal Wafers

著者 (2件)： Das Debajyoti (Nano-Science Group, Energy Research Unit, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata 700 032, India) ,  Karmakar Laxmikanta (Nano-Science Group, Energy Research Unit, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata 700 032, India)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 18  号： P3  ページ： 1324-1328  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶シリコン吸収体層からの反射損失の著しい減少は太陽電池の効率を高めるための緊急の必要条件である。平面誘導結合プラズマCVDを用いて,c-SiウエハのH_2プラズマエッチングにより,ほとんどブラックSiを生成する研究を行った。プラズマ中の低いガス圧がc-Si表面の効率的なエッチングを促進することを実証した。30mTorrと200°Cでのプラズマエッチングにより,反反射被覆(ARC)要求を厳密に満足する寸法~40~200nmの高密度で均一なピラミッド状Siナノ構造が生成した。このような最適にエッチしたシリコンナノ構造からの極端に低い反射(~0.13%)が光起電力応用に最も有用であると思われる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  吸収体 ,  プラズマエッチング ,  角錐 ,  光起電力 ,  必要条件 ,  プラズマ ,  プラズマCVD ,  電磁結合 ,  *ナノ構造 ,  被覆 ,  ケイ素 ,  太陽電池
準シソーラス用語： 高密度 ,  *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 光反射損失 ,  ブラックシリコン ,  H_2プラズマエッチング ,  シリコンナノ構造

分類 (1件)： 火花点火機関  (PB02020C)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン結晶 ,  ウエハ ,  エッチ ,  ナノ構造 ,  反射損失 ,  最小化