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J-GLOBAL ID：201902250214531848   整理番号：19A2368666

ジチアゾリルチエノチオフェンビシミド n型半導性重合体のための新規Electron-欠損構築単位【JST・京大機械翻訳】

Dithiazolylthienothiophene Bisimide: A Novel Electron-Deficient Building Unit for N-Type Semiconducting Polymers

著者 (8件)： Teshima Yoshikazu (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima University, Hiroshima, Japan) ,  Saito Masahiko (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima University, Hiroshima, Japan) ,  Fukuhara Tomohiro (Department of Polymer Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto University, Japan) ,  Mikie Tsubasa (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima University, Hiroshima, Japan) ,  Komeyama Kimihiro (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima University, Hiroshima, Japan) ,  Yoshida Hiroto (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima University, Hiroshima, Japan) ,  Ohkita Hideo (Department of Polymer Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto University, Japan) ,  Osaka Itaru (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima University, Hiroshima, Japan)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 11  号： 26  ページ： 23410-23416  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型(電子輸送)半導体高分子は,真にプラスチック電子デバイスの開発のための不可欠な材料である。本論文では,初めて,ジチアゾリルチオエノチオフェンビスイミド(TzBI)を,イミド系電子欠乏π共役系の新しいファミリーとして合成し,TzBIを構築単位としてπ共役骨格に組み込むことにより,半導体高分子を合成した。TzBIに基づく高分子は,ジチエニルチオエノチオフェンビスイミド(TBI)対応物と比較して,深いフロンティア分子軌道エネルギー準位と広い光学バンドギャップを有することが分かった。また,TzBIは,骨格の末端にチオフェン環を置換したチアゾール環が,より多くの共平面骨格を与えるため,おそらく,TBIに対して高分子骨格のπ-π分子間相互作用を促進することができることが分かった。実際に,TzBIベース高分子は,有機電界効果トランジスタ(OFET)と有機光起電力(OPV)デバイスの両方でn型半導体材料として機能する。特に,TzBIベース高分子の一つは,低分子量ポリマ(<10kDa)に対して高い高分子OPVデバイスにおいて3.3%の電力変換効率を提供した。興味深いことに,OPVsで利用されるn型半導体高分子の多くは狭いバンドギャップを有するが,TzBIベース高分子は広いバンドギャップを有している。これは,過去10年間に広く開発されたp型狭バンドギャップ高分子と混合したとき,可視から近赤外光吸収範囲を補完するのに非常に有益である。結果は,n型半導体高分子の構築単位としてのTzBIの大きな有望性と可能性を実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導性 ,  狭帯域 ,  高分子 ,  光起電力 ,  N型半導体 ,  バンドギャップ ,  プラスチック ,  イミド ,  高分子半導体 ,  分子間相互作用 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  有機FET ,  π共役 ,  電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： イミド ,  半導体ポリマ ,  n型 ,  アクセプタ ,  有機電界効果トランジスタ ,  有機太陽光発電

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： チオフェン

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導性 ,  重合体 ,  欠損 ,  構築